[发明专利]具有排气通道的焊料模及其形成和使用方法无效
申请号: | 200810145598.8 | 申请日: | 2008-08-05 |
公开(公告)号: | CN101364552A | 公开(公告)日: | 2009-02-11 |
发明(设计)人: | R·J·贝萨马;R·A·巴德;E·G·科尔根;P·A·格鲁伯尔;V·奥伯森 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;B23K3/06;B23K101/40 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 于静;杨晓光 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 排气 通道 焊料 及其 形成 使用方法 | ||
1.一种用于将焊料转移到晶片的焊料模,包括:
基板;
多个焊料腔,用于保持焊料;以及
多个排气通道,形成在所述多个焊料腔之间。
2.根据权利要求1的焊料模,其中所述基板包括玻璃。
3.根据权利要求1的焊料模,其中所述基板具有这样的热膨胀系数(CTE),所述CTE近似匹配所述晶片的CTE。
4.根据权利要求1的焊料模,其中所述多个排气通道沿扫描方向连接所述多个焊料腔。
5.根据权利要求1的焊料模,其中所述多个排气通道沿与扫描方向成锐角的方向连接所述多个焊料腔。
6.根据权利要求1的焊料模,其中所述多个排气通道包括沿第一方向连接所述多个焊料腔的第一组排气通道和沿不同于所述第一方向的第二方向连接所述多个焊料腔的第二组排气通道。
7.根据权利要求1的焊料模,其中所述排气通道中的一个或多个的宽度为约1至100微米。
8.根据权利要求7的焊料模,其中所述排气通道中的一个或多个的宽度为小于约60微米。
9.根据权利要求1的焊料模,其中所述排气通道中的一个或多个的深度为约1至50微米。
10.根据权利要求9的焊料模,其中所述排气通道中的一个或多个的深度为小于约30微米。
11.根据权利要求1的焊料模,其中所述排气通道中的一个或多个具有半圆形截面。
12.根据权利要求1的焊料模,其中所述排气通道中的一个或多个具有矩形截面,所述矩形截面具有倒角的下拐角。
13.根据权利要求1的焊料模,其中在所述多个焊料腔之间形成的所述多个排气通道包括所述基板的粗糙化或波纹化的表面。
14.一种用于转移焊料的焊料模,包括:
基板;
多个焊料腔,用于保持焊料;以及
连接所述焊料腔的排气通道的图形。
15.根据权利要求14的焊料模,其中所述排气通道沿扫描方向或沿与所述扫描方向成锐角的方向延伸。
16.根据权利要求14的焊料模,其中所述排气通道彼此平行地延伸。
17.根据权利要求14的焊料模,其中所述排气通道连接到两个邻近的焊料腔的组。
18.根据权利要求14的焊料模,其中所述排气通道连接到四个邻近的焊料腔的组。
19.一种焊料模,包括:
多个焊料腔,用于保持焊料;以及
多个排气通道,形成在所述多个焊料腔之间,沿扫描方向或沿与所述扫描方向成锐角的方向延伸。
20.根据权利要求19的模,附加地包括玻璃基板。
21.一种用于形成用于将焊料转移到晶片的焊料模的方法,包括:
将多个焊料腔蚀刻到基板中;以及
在所述基板上蚀刻多个排气通道,所述排气通道连接所述多个焊料腔。
22.根据权利要求21的方法,其中基本上同时进行蚀刻所述多个焊料腔的步骤和蚀刻所述多个排气通道的步骤。
23.根据权利要求21的方法,其中独立于蚀刻所述多个焊料腔的步骤,单独进行蚀刻所述多个排气通道的步骤。
24.根据权利要求21的方法,其中在通过光刻方法所限定的区域中进行所述排气通道的所述蚀刻。
25.根据权利要求21的方法,其中通过激光磨削进行所述排气通道的所述蚀刻。
26.根据权利要求21的方法,其中通过使用研磨片摩擦所述基板的顶表面进行所述排气通道的所述蚀刻。
27.根据权利要求21的方法,其中基本上沿扫描方向以线性方式摩擦研磨片。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造