[发明专利]显示装置有效
申请号: | 200810145623.2 | 申请日: | 2008-08-07 |
公开(公告)号: | CN101364604A | 公开(公告)日: | 2009-02-11 |
发明(设计)人: | 石井裕满 | 申请(专利权)人: | 卡西欧计算机株式会社 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/522;G02F1/1362 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 陈萍 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及液晶显示装置等显示装置,更详细地涉及具有辅助电容线 的显示装置。
背景技术
例如,在现有的有源矩阵型的液晶显示装置中,有如下装置:在有源 基板上的显示区域上多条扫描线及多条数据线在行方向及列方向上延伸即 相互正交地设置,在由扫描线和数据线包围的区域内像素电极经由作为开 关元件的薄膜晶体管与扫描线及数据线连接设置。
在(日本)特开平7-175453号公报记载的液晶显示装置中,在有源 基板上的显示区域上,用于在与像素电极之间形成辅助电容部的多条辅助 电容线在行方向上延伸即与扫描线平行地设置。即,辅助电容线在与扫描 线相同的平面上设置,与设置在与其不同的平面上的数据线交叉配置。
然而,在上述现有的液晶显示装置的驱动方法中,选择1根扫描线, 将该选择出的扫描线的电位设为高电平,为了向经由薄膜晶体管连接至该 扫描线的所有像素电极写入图像信号,而向所有数据线提供图像信号,在 经过一定的选择时间后将该扫描线的电位设为低电平,接着选择下1根扫 描线来进行同样的写入,以下通过重复这种写入来写入一个画面的图像信 息。因此,为了写入一个画面的图像信息,各扫描线只被选择(驱动)1次, 但各数据线以扫描线的根数次被驱动。
另一方面,用于写入一个画面的图像信息的、数据线的功耗由电压振 幅×写入电容×写入次数来决定。数据线的电压振幅(例如5V)是扫描线的 电压振幅(例如30V)的几分之一,但是数据线的写入次数是扫描线的根数 (例如几百根)次,所以数据线的功耗比扫描线的功耗大得多。
然而,在上述现有的液晶显示装置中有下述问题:辅助电容线与数据 线交叉,所以在辅助电容线和数据线的交叉部产生寄生电容,该寄生电容 成为使数据线的功耗进一步增加的要因之一。
发明内容
因此,本发明的目的在于提供一种显示装置,能够减少数据线的功耗。
本发明的显示装置,其特征在于,包括:具有显示区域(2)的基板(1); 在上述显示区域(2)内的上述基板(1)上设置的多条扫描线(3),及在 与上述扫描线(3)正交的方向上设置的多条数据线(4);分别连接在上述 各扫描线及数据线上的多个开关元件(6);连接在上述各开关元件上的多 个像素电极(5);以及形成为与上述各数据线平行、且具有至少与上述各 像素电极的一部分重合的部分的多条辅助电容线(7)。上述各辅助电容线 包括与上述数据线在相同的平面上用与上述数据线相同的材料形成的金属 层(7c)。
本发明的发明效果是:根据本发明,将辅助电容线与数据线平行地设 在与数据线相同的平面上,所以辅助电容线不与数据线交叉,不产生由该 交叉引起的寄生电容,因此能够减少数据线的功耗。
附图说明
图1是作为本发明第1实施方式的液晶显示装置中在有源基板上形成 的部件的省略了一部分的整体等价电路的平面图。
图2是图1所示的有源基板的一部分的透视平面图。
图3是沿图2的III-III线的剖面图。
图4是作为本发明第2实施方式的液晶显示装置的与图2同样的透视 平面图。
图5是作为本发明第3实施方式的液晶显示装置的与图1同样的等价 电路的平面图。
图6是用于说明图5所示的液晶显示装置的驱动方法的一例的时间图。
图7是作为本发明第4实施方式的液晶显示装置的与图5同样的等价 电路的平面图。
图8是用于说明图7所示的液晶显示装置的驱动方法的一例的时间图。
图9是作为本发明第5实施方式的液晶显示装置的与图4同样的透视 平面图。
图10是作为本发明第6实施方式的液晶显示装置的与图4同样的透视 平面图。
图11是沿图10的XI-XI线的剖面图。
符号说明
1有源基板
2显示区域
3扫描线
4数据线
5像素电极
6薄膜晶体管
7辅助电容线
8驱动器搭载区域
具体实施方式
(第1实施方式)
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的