[发明专利]半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：

在衬底上形成栅电极；

在所述栅电极上形成栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上形成第一半导体层，该第一半导体层包括含有受 主杂质元素的微晶半导体；

在所述第一半导体层上形成第二半导体层，该第二半导体层包括非晶 半导体；以及

在所述第二半导体层上形成n型或p型半导体层，

其特征在于，

通过使用至少包括含有所述受主杂质元素的掺杂剂气体的工艺气体的 等离子体激发化学气相生长法，形成所述第一半导体层，并且

将频率不同的两种以上的高频电力提供到所述工艺气体来产生等离子 体。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，包括如下步骤：

使用掩模，对所述第一半导体层、所述第二半导体层、以及所述n型 或p型半导体层进行蚀刻；以及

通过对所述n型或p型半导体层的一部分进行蚀刻，形成源区域及漏 区域。

3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，包括如下步骤：

在形成所述n型或p型半导体层之前，在所述第二半导体层上形成岛 状绝缘层；

在形成所述n型或p型半导体层之前，使用掩模，对所述第一半导体 层和所述第二半导体层进行蚀刻；以及

在形成所述n型或p型半导体层之后，通过对所述n型或p型半导体 层的一部分进行蚀刻，形成源区域及漏区域。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

通过使用工艺气体的等离子体激发化学气相生长法，形成所述第二半 导体层，并且

将频率不同的两种以上的高频电力提供到所述用来形成非晶半导体层 的工艺气体来生成等离子体。

5.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

通过使用工艺气体的等离子体激发化学气相生长法，形成所述第二半 导体层，并且

将频率不同的两种以上的高频电力提供到所述用来形成非晶半导体层 的工艺气体来生成等离子体。

6.根据权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

通过使用工艺气体的等离子体激发化学气相生长法，形成所述第二半 导体层，并且

将频率不同的两种以上的高频电力提供到所述用来形成非晶半导体层 的工艺气体来生成等离子体。

7.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

通过使用工艺气体的等离子体化学气相生长法，形成所述栅极绝缘层， 并且

将频率不同的两种以上的高频电力提供到所述用来形成栅极绝缘层的 工艺气体来生成等离子体。

8.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

通过使用工艺气体的等离子体化学气相生长法，形成所述栅极绝缘层， 并且

将频率不同的两种以上的高频电力提供到所述用来形成栅极绝缘层的 工艺气体来生成等离子体。

9.根据权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

通过使用工艺气体的等离子体化学气相生长法，形成所述栅极绝缘层， 并且

将频率不同的两种以上的高频电力提供到所述用来形成栅极绝缘层的 工艺气体来生成等离子体。

10.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

所述受主杂质元素是硼，并且

所述掺杂剂气体是选自三甲基硼、B₂H₆、BF₃、BCl₃、以及BBr₃中的 气体。