[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其包括在半导体基板上形成的第一组晶体管、第二组晶体管和电阻器，所述第二组晶体管中每个晶体管的工作电压低于所述第一组晶体管中每个晶体管的工作电压，其中，

所述第一组晶体管具有经过第一栅绝缘膜由硅系材料层在所述半导体基板上形成的第一栅电极；

所述第二组晶体管具有经过第二栅绝缘膜将金属系栅材料填充在所述半导体基板上的层间绝缘膜中的栅形成用沟槽内而形成的第二栅电极；并且，

所述电阻器具有电阻器本体和在所述电阻器本体上形成的电阻器保护层，所述电阻器本体利用所述硅系材料层的下部并经过绝缘膜形成在所述半导体基板上，所述电阻器保护层利用所述硅系材料层的上部形成绝缘层而得到。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述绝缘层由通过执行氧或二氧化碳的团簇离子注入而形成的氧化物层构成。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述电阻器保护层是将与电阻器本体具有相反导电类型的补偿N型杂质或P型杂质注入电阻器本体上部所形成的绝缘补偿层。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述补偿层是通过对所述电阻器本体的上部执行离子注入而形成的。

5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述补偿层是通过对所述电阻器本体的上部执行团簇离子注入而形成的。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，在所述第一栅电极上形成有硅化物层。

7.一种半导体装置制造方法，

所述半导体装置包括在半导体基板上形成的第一组晶体管、第二组晶体管和电阻器，所述第二组晶体管中每个晶体管的工作电压低于所述第一组晶体管中每个晶体管的工作电压；

所述第一组晶体管具有经过第一栅绝缘膜由硅系材料层在所述半导体基板上形成的第一栅电极；

所述第二组晶体管具有经过第二栅绝缘膜将金属系栅材料填充在栅形成用沟槽内而形成的第二栅电极，所述栅形成用沟槽是通过除掉所述半导体基板上的伪栅部而形成的；并且，

所述电阻器具有电阻器本体，所述电阻器本体利用所述硅系材料层并经过与所述第一栅绝缘膜构成同一层的绝缘膜而形成；

所述制造方法包括如下步骤：

在形成所述电阻器本体的所述硅系材料层的上部形成电阻器保护层；

通过使用掩模，分别蚀刻在上部形成有所述电阻器保护层的所述硅系材料层、用于形成各个所述第一栅电极的所述硅系材料层和用于形成所述伪栅部的所述硅系材料层，从而形成所述电阻器、所述第一栅电极和所述伪栅部；以及

形成所述第二栅电极。

8.根据权利要求7所述的半导体装置制造方法，其中，在形成所述第二栅电极之后，在各个所述第二栅电极上形成保护膜，并通过使用所述保护膜和所述电阻器保护层作为用于硅化处理的掩模来执行硅化处理，从而在各个所述第一栅电极上形成硅化物层。

9.根据权利要求7所述的半导体装置制造方法，其中，所述电阻器保护层由通过执行氧或二氧化碳的团簇离子注入而形成的氧化物层构成。