[发明专利]Ⅲ族氮化物半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200810146095.2 | 申请日： | 2001-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN101359667A | 公开（公告）日： | 2009-02-04 |
| 发明（设计）人： | 西井胜则;井上薰;松野年伸;池田义人;正户宏幸 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/118 | 分类号： | H01L27/118;H01L29/778;H01L21/784;H01L21/335;H01L21/338;H01L33/00;H01S5/10;H01S5/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置，具备有保护氧化膜，其特征在于：
所述半导体装置在晶片状衬底上分别形成由以式InxALyGa1-x-yN表达的Ⅲ族氮化物半导体构成的划片区域、和被该划片区域包围且由以式InxALyGa1-x-yN表达的Ⅲ族氮化物半导体构成的多个元件形成区域，式中0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x+y≤1；
所述保护氧化膜形成在所述衬底上的所述划片区域的外围部分，由所述Ⅲ族氮化物半导体氧化形成。
2.一种半导体装置制造方法，其特征在于：
具备有以下各工序：
在晶片状衬底上形成以式InxALyGa1-x-yN表达的Ⅲ族氮化物半导体层的半导体层形成工序，式中0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x+y≤1；
在所述Ⅲ族氮化物半导体层上设定多个元件形成区域和划片区域的区域设定工序，元件形成区域形成在Ⅲ族氮化物半导体层上，划片区域在将各元件形成区域分别分割成一个一个芯片时用作分割区域；
在所述划片区域上形成覆盖该划片区保护膜的保护膜形成工序；
形成氧化保护膜的氧化膜形成工序，该工序中用已形成的保护膜作为掩蔽膜，对所述Ⅲ族氮化物半导体层进行氧化，从而在划片区域的侧方区域内形成由Ⅲ族氮化物半导体层氧化生成的保护氧化膜。
3.根据权利要求2所述的半导体装置制造方法，其特征在于：所述保护膜由硅、氧化硅或氮化硅组成。
4.根据权利要求2所述的半导体装置制造方法，其特征在于：所述氧化膜形成工序包含所述Ⅲ族氮化物半导体层在氧气氛中进行热处理的工序。
5.根据权利要求2所述的半导体装置制造方法，其特征在于：所述氧化膜形成工序包含一面对所述Ⅲ族氮化物半导体进行氧离子注入，一面进行热处理的工序。
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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