[发明专利]电子装置、薄膜晶体管、显示装置及导体接触工艺

权利要求书

1.一种电子装置，至少具有配置于一衬底上的一导体图案，该导体图案包括：

一实质纯铝层，配置在该衬底上；以及

一铝镍镧合金层，配置在该实质纯铝层上。

2.如权利要求1的电子装置，更包括一氧化物导电层，配置在该铝镍镧合金层上，且该氧化物导电层与该铝镍镧合金层直接接触。

3.如权利要求1的电子装置，更包括一导电层，配置在该实质纯铝层之下，以使该实质纯铝层夹在该导电层以及该铝镍镧合金层之间。

4.如权利要求3的电子装置，其中该导电层的材质包括氮化钼或钼。

5.如权利要求1的电子装置，其中该实质纯铝层的厚度与该铝镍镧合金层的厚度之间的比例为10∶1。

6.如权利要求1的电子装置，其中该铝镍镧合金层的厚度为

7.一种薄膜晶体管，适于配置于一基板上，该薄膜晶体管包括：

一栅极，配置在该基板上，该栅极包括一第一实质纯铝层以及一第一铝镍镧合金层，且该第一实质纯铝层位于该第一铝镍镧合金层以及该基板之间；

一栅绝缘层，配置在该基板上并覆盖该栅极；

一半导体层，配置在该栅极上方的该栅绝缘层上；

一源极与一漏极，配置在该半导体层上，该源极与该漏极分别对应于该栅极的两侧。

8.如权利要求7的薄膜晶体管，其中该源极与该漏极由一导电层、一第二实质纯铝层以及一第二铝镍镧合金层依序迭置所组成，且该导电层与该半导体层接触。

9.如权利要求7的薄膜晶体管，其中该第一实质纯铝层的厚度与该第一铝镍镧合金层的厚度之间的比例为10∶1。

10.一种薄膜晶体管，适于配置于一基板上，该薄膜晶体管包括：

一栅极，配置在该基板上；

一栅绝缘层，配置在该基板上并覆盖该栅极；

一半导体层，配置在该栅极上方的该栅绝缘层上；以及

一源极与一漏极，配置在该半导体层上，该源极与该漏极分别对应在该栅极的两侧，该源极与该漏极由一导电层、一实质纯铝层以及一铝镍镧合金层依序迭置所组成，且该导电层与该半导体层接触。

11.如权利要求10的薄膜晶体管，其中该实质纯铝层的厚度与该铝镍镧合金层的厚度之间的比例为10∶1。