[发明专利]熔丝电路无效

专利信息
申请号: 200810146132.X 申请日: 2008-08-06
公开(公告)号: CN101364590A 公开(公告)日: 2009-02-11
发明(设计)人: 森健次;田古里真行 申请(专利权)人: 恩益禧电子股份有限公司
主分类号: H01L23/525 分类号: H01L23/525;G11C17/16;G11C17/18;G01R31/07
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 陆锦华;黄启行
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 电路
【权利要求书】:

1.一种熔丝电路,包括:

第一电源线;

第二电源线;

第一晶体管,所述第一晶体管耦合在所述第一电源线和所述第二 电源线之间,以输出第一输出电流;

第二晶体管,所述第二晶体管耦合在所述第一电源线和所述第二 电源线之间,并且耦合到所述第一晶体管以输出第二输出电流;

熔丝,所述熔丝在所述第一电源线和第二电源线之间与所述第一 晶体管或所述第二晶体管串联耦合;

另一熔丝,所述另一熔丝耦合到所述第二电源线;

输出端,所述输出端被耦合到所述第一晶体管和第二晶体管之间 的节点,以输出根据所述第一输出电流和所述第二输出电流的比例关 系的信号,其中所述比例关系是基于所述第二晶体管的尺寸比和所述 熔丝是否被切断而反转的;

熔丝切断晶体管,所述熔丝切断晶体管与所述第一电源线和第二 电源线之间的所述熔丝串联耦合;

开关,所述开关被耦合到所述熔丝切断晶体管并且被选择性地耦 合到所述熔丝和所述另一个熔丝之一;以及

额外的晶体管,所述额外的晶体管被耦合在所述另一个熔丝和所 述开关之间的节点。

2.根据权利要求1所述的熔丝电路,还包括:

电阻器,所述电阻器与所述第一晶体管串联耦合。

3.根据权利要求1所述的熔丝电路,其中所述第一晶体管是MOS 晶体管或者双极晶体管,所述第二晶体管是MOS晶体管或者双极晶体 管。

4.根据权利要求3所述的熔丝电路,其中所述第一晶体管是双极 晶体管,所述第二晶体管是MOS晶体管。

5.根据权利要求1所述的熔丝电路,还包括:

第三晶体管,所述第三晶体管耦合在所述第一电源线和第二电源 线之间并且耦合到所述第二晶体管,以与所述第二晶体管一起作为第 一电流镜电路。

6.根据权利要求5所述的熔丝电路,还包括:

第四晶体管,所述第四晶体管耦合在所述第一和第二电源线之间 并且耦合到所述第三晶体管和所述第一晶体管,以与所述第一晶体管 一起作为第二电流镜电路。

7.根据权利要求6所述的熔丝电路,还包括:

传输门,所述传输门耦合在所述第一电源线和第二电源线之间; 以及

第五晶体管,所述第五晶体管耦合到所述第一电源线并且还耦合 到所述传输门和所述第四晶体管之间的节点。

8.根据权利要求1所述的熔丝电路,其中所述第二晶体管的所述 尺寸比被设置成基于所述熔丝是否被切断而反转所述比例关系。

9.根据权利要求1所述的熔丝电路,还包括:

存储电路,所述存储电路被耦合到所述输出端,以锁存所述信号 的值。

10.根据权利要求6所述的熔丝电路,其中所述第二晶体管的尺 寸比与所述第四晶体管的尺寸比相同。

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