[发明专利]显示器件

权利要求书

1.一种显示器件，其特征在于，包括：

绝缘基板；

设置在绝缘基板之上的晶体管；

设置在晶体管上的多晶半导体层；栅极绝缘膜；以及栅电极，其 中，

栅电极隔着栅极绝缘膜而形成在多晶半导体层上，

多晶半导体层包括：俯视观察时与栅电极重叠的第一区域；以及 夹着第一区域的第二区域和第三区域，

第一区域被夹在第二区域和第三区域之间而形成，

多晶半导体层的第二区域包括第一杂质扩散区域和导电类型与 第一杂质扩散区域的导电类型相反的第二杂质扩散区域，

第一区域与第一杂质扩散区域在第一边界连接，

第一区域与第二杂质扩散区域在第二边界连接，

夹着第一杂质扩散区域而沿栅电极设置有2个第二杂质扩散区 域，

第一区域与第二杂质扩散区域连接的第二边界位于夹着第一区 域与第一杂质扩散区域连接的第一边界的两个位置上，且比第一区域 与第一杂质扩散区域连接的第一边界更靠半导体层的端部侧。

2.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，

晶体管具有当对栅电极施加截止电压时产生泄漏电流的侧边晶 体管，

第二边界的长度大于侧边晶体管的栅极长度。

3.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，

晶体管具有多个当对栅电极施加截止电压时产生泄漏电流的侧 边晶体管。

4.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，

在绝缘基板上形成有：第一杂质扩散层的导电类型为n型的第一 晶体管；以及第一杂质扩散层的导电类型为p型的第二晶体管。

5.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，

在绝缘基板上形成有：由第一杂质扩散层的导电类型为n型的第 一晶体管和第一杂质扩散层的导电类型为p型的第二晶体管构成的互 补型倒相电路。

6.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，

在绝缘基板上形成有：由第一杂质扩散层的导电类型为n型的第 一晶体管和第一杂质扩散层的导电类型为p型的第二晶体管构成的模 拟开关电路。

7.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，

在绝缘基板上形成有多条扫描信号线、多条图像信号线、多个开 关元件、以及多个像素电极、具有晶体管的集成电路，

多个开关元件和多个像素电极呈矩阵状配置而形成显示区域，

在显示区域的外侧设置有集成电路。

8.一种显示器件，其特征在于，包括：

绝缘基板；

设置在绝缘基板上的TFT元件；

由设置在TFT元件上的多晶半导体构成的半导体层；栅极绝缘 膜；以及栅电极，其中，

栅电极与半导体层立体交叉，

半导体层包括：俯视观察到的形状与栅电极重叠的第一区域；和 夹着第一区域而与第一区域连接的第二区域和第三区域，

第二区域包括：具有作为TFT元件的源极的功能的第一杂质扩散 区域；和导电类型与第一杂质扩散区域的导电类型相反的第二杂质扩 散区域，

第一区域与第二区域的界面包括：第一区域与第一杂质扩散区域 连接的第一界面；和第一区域与第二杂质扩散区域连接的第二界面，

第二界面位于夹着第一界面的两个位置上，且比第一界面更靠半 导体层的端部侧。

9.根据权利要求8所述的显示器件，其特征在于，

TFT元件在半导体层的端部一侧具有当对栅电极施加截止电压时 产生泄漏电流的侧边晶体管，

第二界面的与半导体层交叉的栅电极的延伸方向的尺寸大于侧 边晶体管的栅极长度。

10.根据权利要求8所述的显示器件，其特征在于，

在绝缘基板上形成有在一个半导体层上存在多个第一区域的TFT 元件。