[发明专利]磁传感器及其制造方法有效
申请号: | 200810146195.5 | 申请日: | 2008-08-08 |
公开(公告)号: | CN101369009A | 公开(公告)日: | 2009-02-18 |
发明(设计)人: | 笠岛多闻;庄司茂 | 申请(专利权)人: | 新科实业有限公司;TDK株式会社 |
主分类号: | G01R33/09 | 分类号: | G01R33/09 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 | 代理人: | 郝传鑫 |
地址: | 中国香港新界沙田香*** | 国省代码: | 中国香港;81 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 传感器 及其 制造 方法 | ||
1.一种磁传感器,包括:
磁场检测芯片,所述磁场检测芯片具有用于检测磁场的磁场检测元件和用 于输出来自所述磁场检测元件输出信号的输出端子;
具有连接端子的基板,所述基板搭载所述磁场检测芯片,所述连接端子形 成在搭载有所述磁场检测芯片的搭载面上并与所述磁场检测芯片的所述输出端 子相连接;
其特征在于:所述磁场检测芯片以所述磁场检测芯片的输出端子形成面与 所述基板的所述搭载面不平行的状态搭载在所述基板上。
2.如权利要求1所述的磁传感器,其特征在于:所述磁场检测芯片搭载在所述 基板上,其中所述磁场检测芯片的所述输出端子形成面大致垂直于所述基板的 所述搭载面。
3.如权利要求2所述的磁传感器,其特征在于:所述磁场检测芯片在所述磁场 检测芯片的所述输出端子形成面上形成所述磁场检测元件。
4.如权利要求2所述的磁传感器,其特征在于:所述磁场检测芯片搭载在所述 基板上并与所述基板相连接。
5.如权利要求2所述的磁传感器,其特征在于:所述磁场检测芯片搭载在所述 基板上,其中所述输出端子处于紧靠所述连接端子的位置。
6.如权利要求2所述的磁传感器,其特征在于:所述输出端子和所述连接端子 以球焊连接方式连接。
7.如权利要求2所述的磁传感器,其特征在于:所述磁场检测元件为自旋阀型 磁阻效应元件。
8.如权利要求2所述的磁传感器,其特征在于:所述磁传感器还设置了由作为 磁阻效应元件的若干所述磁场检测元件连接而形成的电桥电路,并且设置了检 测所述电桥电路的差动电压的差动电压检测装置。
9.如权利要求8所述的磁传感器,其特征在于:所述磁场检测芯片搭载在所述 基板上,以便直线形地配置具有形成所述电桥电路的所述磁场检测元件的若干 所述磁场检测芯片。
10.如权利要求8所述的磁传感器,其特征在于:所述磁场检测芯片搭载在所 述基板上,其中用于形成所述电桥电路的所述若干磁场检测元件位于同一平面 上。
11.如权利要求8所述的磁传感器,其特征在于:所述磁场检测芯片搭载在基 板上,从而使得所述磁场检测元件的磁场检测元件形成面的方向成为以沿所述 磁场检测元件形成面相互旋转180°的方向,其中所述磁场检测元件通过将所 述电桥电路连接成对的方式检测差动电压。
12.如权利要求11所述的磁传感器,其特征在于:所述磁场检测芯片搭载在基 板上,从而使得所述磁场检测元件的磁场检测元件形成面的朝向相反,其中所 述磁场检测元件通过将所述电桥电路连接成对的方式检测差动电压。
13.如权利要求8所述的磁传感器,其特征在于:形成所述电桥电路的所述若 干磁场检测元件是在层积形成所述磁场检测元件的同一基体上形成的。
14.如权利要求13所述的磁传感器,其特征在于:形成所述电桥电路的所述若 干磁场检测元件是在层积形成所述磁场检测元件的同一基体上相互紧靠形成的 元件。
15.一种磁传感器制造方法,包括:
磁场检测芯片制造工序,所述磁场检测芯片制造工序是在基体上层积形成 检测磁场的磁场检测元件和用于输出来自所述磁场检测元件的输出信号的输出 端子,同时从所述基体上切割出具有所述磁场检测元件和所述输出端子的磁场 检测芯片;
磁场检测芯片搭载工序,所述磁场检测芯片搭载工序是在形成有连接端子 的基板的搭载面上搭载所述磁场检测芯片,并将所述输出端子和所述连接端子 电气连接;
封装工序,所述封装工序是使用绝缘材料覆盖搭载有所述磁场检测芯片的 所述基板的所述搭载面一侧;
其特征在于:
所述磁场检测芯片搭载工序是将所述磁场检测芯片搭载在所述基板上,使 得配置的所述磁场检测芯片的输出端子形成面与所述基板的所述搭载面不平 行。
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