[发明专利]稳压电路

说明书

技术领域

本发明涉及稳压电路，尤其是无需减慢响应速度就可以降低消耗电流的稳压电路。

背景技术

在稳压电路中，为了加快对输出电压变动的响应速度，必须增大差动放大电路的偏压电流。

但是，增大偏压电流会产生稳压电路的消耗电流增加的问题。

于是，有人提议与输出电流成比例地增加误差放大电路的偏压电流的方法(例如专利文献1参照)

但是在专利文献1所公开的方法中，由于误差放大电路的偏压电流是连续变化的，所以难以进行相位补偿。

更进一步地，对于输出电流的急速变动，响应速度也会变慢。

图3所示是稳压电路的第1个惯例的电路图。

图3的稳压电路在输出电流变为规定的电流值时，就增加由差动放大电路所构成的误差放大电路的偏压电流。

在图3中，是将比例于输出晶体管M101的漏极电流之PMOS晶体管M107的漏极电流提供给电阻R103的。

比较器CMP在电阻R103的电压下降超出参考电压Vs时，输出高水准的信号。

通过比较器CMP输出高水准的信号，NMOS晶体管M106就得以启动。

由此，差动放大电路的偏压电流ia里就被加入来自电流源的稳定电流ib。

另外，作为第2个惯例，是通过构成误差放大电路的差动放大电路的两个输入端的电压差检来检测输出电流的大小，并当该电压差超出规定电压时，来增加该差动放大电路的偏压电流(例如专利文献2参照)。

专利文献1：特开平3-158912号公报

专利文献2：特开2004-240646号公报

发明内容

在第1个惯例之图3的稳压电路中，可以改善相对于输出电流的急速变动的响应速度。

但是，在将图3所示电路IC化时，难以高精度地设置电阻103。

因此，存在着无法正确设定切换偏压电流时的输出电流的课题。

为了正确地设定切换偏压电流时的输出电流，需要使电阻R103成为可以修整的电阻。

其结果是因芯片面积的增加以及修整工序的追加而产生成本增加的问题。

另外，在第2个惯例的稳压电路中，MOS晶体管的栅极-源极之间的电压随着制造过程的影响或温度变化等而变化。

因此，难以正确地设定输出电流和差动放大电路两输入端之间电压差的关系。

另外，在第2个惯例中，为了调查差动放大电路的两输入端之间的电压差，还另外设置了两个差动放大电路。

然后，将上述2个差动放大电路的输入偏移(offset)电压用于检测上述规定的电压。

然而，这种输入偏移电压的值也会受到制造过程和温度变化的影响。

因此，与上述相同地无法提高切换偏压电流时的输出电流的精度。

本发明鉴于上述问题，目的在于提供一种稳压电路，其能够快速响应输出电流的急速变动，还能够正确设定增加偏压电流时的输出电流的值。

本发明的技术方案1提供一种稳压电路，其特征在于：在将输入到输入端子里的电压变换成稳压后由输出端子输出的稳压电路中，包括，输出晶体管，其将对应于被被输入的控制信号的电流，从所述输入端子输出到所述输出端子里；差动放大电路，其根据比例于所述输出端子之输出电压的比例电压，和规定基准电压之间的差来输出所述控制信号；电流镜电路，其作用是作为包含于所述差动放大电路里的1对输入晶体管的负荷；电压比较电路部，其对构成所述电流镜电路的晶体管控制电极的电压，和所述控制信号的电压进行电压比较，所述差动放大电路根据所述电压比较电路部的电压比较结果，来变化提供给所述1对输入晶体管的偏压电流。

本发明的技术方案2根据技术方案1所述的稳压电路，其特征在于：所述电压比较电路部具有滞后特性。

本发明的技术方案3根据技术方案1所述的稳压电路，其特征在于：在通过所述电压比较电路部的电压比较结果中，当构成所述电流镜电路的晶体管之控制电极的电压大于所述控制信号时，所述差动放大电路使所述偏压电流增加。

本发明的技术方案4根据技术方案2所述的稳压电路，其特征在于：所述电压比较电路部的滞后要大于，所述偏压电流增加时构成所述电流镜电路之晶体管的栅极电压的增加部分。

本发明的技术方案5根据技术方案1所述的稳压电路，其特征在于：所述输出晶体管以及构成所述电流镜电路的晶体管，分别为相同导电型的MOS晶体管，所述电压比较电路部对所述输出晶体管的栅极-源极间电压，和构成所述电流镜电路的晶体管的栅极-源极间电压进行比较。