[发明专利]阻抗可变存储器件及其操作方法

权利要求书

1.一种用于操作在顶部电极与底部电极之间具有相变材料的阻抗 可变存储器件的方法，所述方法包括：

在编程操作中施加写电流以编程所述相变材料；以及

在施加所述写电流的同时，施加读电流以读取存储在所述相变材 料的数据，

其中所述写电流与所述读电流的方向彼此相反，所述读电流在编 程操作后执行的虚读操作中施加，或者在正常读操作中施加。

2.如权利要求1所述的方法，包括以从所述顶部电极至所述底部 电极的方向施加所述写电流，并且以从所述底部电极至所述顶部电极 的方向施加所述读电流。

3.如权利要求1所述的方法，包括以从所述底部电极至所述顶部 电极的方向施加所述写电流，且包括以从所述顶部电极至所述底部电 极的方向施加所述读电流。

4.如权利要求3所述的方法，其中配置所述相变材料以呈现多种 状态的一种，每种状态具有不同阻抗。

5.一种阻抗可变存储器件，包括：

相变材料，被配置以第一方向传递用于编程所述相变材料的写电 流，同时以与所述第一方向相反的第二方向传递用于读取在所述相变 材料存储的数据的读电流，其中，所述写电流在编程操作中施加，所 述读电流在编程操作后执行的虚读操作中施加，或者在正常读操作中 施加。

6.如权利要求5所述的阻抗可变存储器件，其中所述相变材料连 接在顶部电极与底部电极之间，并且被配置以在所述底部电极处变为 非晶态。

7.如权利要求6所述的阻抗可变存储器件，其中所述写电流以从 所述顶部电极至所述底部电极的所述第一方向流动，并且所述读电流 以从所述底部电极至所述顶部电极的所述第二方向流动。

8.如权利要求6所述的阻抗可变存储器件，其中所述写电流以从 所述底部电极至所述顶部电极的所述第一方向流动，并且所述读电流 以从所述顶部电极至所述底部电极的所述第二方向流动。

9.如权利要求5所述的阻抗可变存储器件，其中配置所述相变材 料以呈现多种状态的一种，每种状态具有不同阻抗。

10.一种存储系统，包括：

阻抗可变存储器件；以及

存储控制器，所述存储控制器被配置以控制所述阻抗可变存储器 件，

其中配置所述阻抗可变存储器件以第一方向传递用于编程相变材 料的写电流，同时以与所述第一方向相反的第二方向传递用于读取在 所述相变材料存储的数据的读电流，其中，所述写电流在编程操作中 施加，所述读电流在编程操作后执行的虚读操作中施加，或者在正常 读操作中施加。

11.如权利要求10所述的存储系统，其中所述相变材料连接在顶 部电极与底部电极之间，其中

所述写电流以从所述顶部电极至所述底部电极的所述第一方向流 动，并且所述读电流以从所述底部电极至所述顶部电极的所述第二方 向流动。

12.如权利要求10所述的存储系统，其中所述相变材料连接在顶 部电极与底部电极之间，其中

所述写电流以从所述底部电极至所述顶部电极的所述第一方向流 动，并且所述读电流以从所述顶部电极至所述底部电极的所述第二方 向流动。