[发明专利]α-钽层的形成方法、MIM电容及其形成方法

权利要求书

1.一种形成α-钽层的方法，包括下列步骤：

形成氮化硅层于半导体基底上；

以轰击元素轰击该氮化硅层以形成α-钽晶种层；以及

在氮气流量为零的条件下溅镀钽层于该α-钽晶种层上，以形成由α-钽所构成的表层。

2.如权利要求1所述的形成α-钽层的方法，其中该α-钽晶种层的厚度

3.如权利要求1所述的形成α-钽层的方法，其中该表层的片电阻20-40μΩ-cm。

4.如权利要求1所述的形成α-钽层的方法，其中该轰击元素包括：氩离子、氪离子、氩原子、氪原子、氩分子、氪分子、或前述的组合。

5.一种形成MIM电容的方法，包括下列步骤：

形成第一极板，包括：

形成氮化硅层于半导体基底上，该氮化硅层具有第一含氮量；

以轰击元素轰击该氮化硅层以形成α-钽晶种层，该α-钽晶种层具有第二含氮量；以及

在氮气流量为零的条件下溅镀一钽层于该α-钽晶种层上，以形成由α-钽所构成的表层；

形成介电层于该第一极板上；以及

形成第二极板于该介电层上。

6.如权利要求5所述的形成MIM电容的方法，其中该第一含氮量为第二含氮量的5倍以上。

7.如权利要求5所述的形成MIM电容的方法，其中该表层的片电阻20-40μΩ-cm。

8.一种MIM电容，包括：

第一极板，包括：

氮化硅层，位于半导体基底上；

α-钽晶种层，位于该氮化硅层上；

由α-钽所构成的表层，位于该α-钽晶种层上，其中该α-钽晶种层与α-钽的晶格失配小于5％；

介电层，位于该第一极板上；以及

第二极板，位于该介电层上。

9.如权利要求8所述的MIM电容，其中该氮化硅层的含氮量大于该α-钽晶种层。