[发明专利]蚀刻处理方法无效
| 申请号： | 200810146717.1 | 申请日： | 2008-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN101378631A | 公开（公告）日： | 2009-03-04 |
| 发明（设计）人： | 中村纪和 | 申请（专利权）人： | 新光电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H05K3/38 | 分类号： | H05K3/38;H05K3/26;H05K3/18 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁业平;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 蚀刻 处理 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种蚀刻树脂部件的方法，该方法包括如下步骤：
制备含有碱性高锰酸盐蚀刻液的去钻污液，以及
将所述树脂部件浸渍到所述去钻污液中，其中，通过使用用于促进所述去钻污液的蚀刻速率的促进剂和用于抑制所述去钻污液的蚀刻速率的抑制剂中的至少一种物质来调节该去钻污液对形成所述树脂部件的树脂的蚀刻速率。
2.根据权利要求1所述的方法，其中
所述促进剂是溶解于所述去钻污液中而产生碳酸根离子(CO32-)的碳酸盐化合物。
3.根据权利要求1所述的方法，其中
所述促进剂是碳酸钠(Na2CO3)。
4.根据权利要求1所述的方法，其中
所述抑制剂是溶解于所述去钻污液中而产生钙离子(Ca2+)的含钙化合物。
5.根据权利要求1所述的方法，其中
所述抑制剂是氢氧化钙[Ca(OH)2]。
6.根据权利要求1所述的方法，其中
如果所述去钻污液的蚀刻速率超出可控制的范围，则将所述促进剂或抑制剂添加到所述去钻污液中。
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