[发明专利]用于半导体器件的电感器及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200810146736.4 申请日: 2008-08-27
公开(公告)号: CN101378054A 公开(公告)日: 2009-03-04
发明(设计)人: 金寿台 申请(专利权)人: 东部高科股份有限公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H01L23/522;H01L21/82;H01L21/768
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人: 李丙林;张英
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 用于 半导体器件 电感器 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种装置,包括:

衬底;

绝缘层,形成在所述衬底上方并且在所述绝缘层中包括金属导线;

金属衬垫,形成在所述绝缘层上方;

电感线,形成在所述绝缘层上方并且连接至所述金属衬垫;以及

衬垫接触件、金属层和通道接触件,顺序堆叠在所述金属导线和所述金属衬垫之间的所述绝缘层内。

2.根据权利要求1所述的装置,其中:

所述衬垫接触件连接至所述金属衬垫的下部表面;

所述金属层连接至所述衬垫接触件的下部表面;以及

所述通道接触件使所述金属层和所述金属导线相互连接。

3.根据权利要求1所述的装置,其中,所述金属层是超厚金属层。

4.根据权利要求1所述的装置,其中,所述金属衬垫和所述衬垫接触件基本上由相同的金属制成。

5.根据权利要求1所述的装置,其中,所述金属衬垫和所述衬垫接触件由铝制成。

6.根据权利要求1所述的装置,其中,所述金属衬垫、所述衬垫接触件和所述金属层基本上具有相同的宽度。

7.根据权利要求1所述的装置,其中:

所述金属衬垫和所述金属层基本上具有相同的宽度;以及

所述衬垫接触件具有的宽度小于所述金属衬垫和所述金属层的宽度。

8.根据权利要求1所述的装置,其中,所述衬垫接触件和所述金属层具有相同的宽度,所述宽度小于所述金属衬垫的宽度。

9.一种方法,包括:

在衬底上方形成包括金属导线和连接至所述金属导线的通道接触件的第一绝缘层;

在所述第一绝缘层上方形成第二绝缘层;

在所述第二绝缘层中形成沟槽;

在所述沟槽内顺序形成连接至所述通道接触件的金属层和位于所述金属层上方的衬垫接触件;以及

在所述衬垫接触件上方形成金属衬垫并且在所述第二绝缘层上方形成连接至所述金属衬垫的电感线。

10.根据权利要求9所述的方法,其中,所述金属衬垫和所述衬垫接触件具有相同的宽度。

11.根据权利要求9所述的方法,其中,所述金属衬垫具有的宽度大于所述衬垫接触件的宽度。

12.根据权利要求9所述的方法,其中,所述金属层是超厚金属层。

13.一种方法,包括:

在衬底上方形成包括金属导线和连接至所述金属导线的通道接触件的第一绝缘层;

在所述第一绝缘层上方形成第二绝缘层;

在所述第二绝缘层中形成第一沟槽;

在所述第一沟槽中形成连接至所述通道接触件的金属层;

在所述第二绝缘层上方形成第三绝缘层;

在所述第三绝缘层中形成第二沟槽以暴露所述金属层;

在所述第二沟槽中形成连接至所述金属层的衬垫接触件;以及

在所述衬垫接触件上方形成金属衬垫并且在所述第三绝缘层上方形成连接至所述金属衬垫的电感线。

14.根据权利要求13所述的方法,其中,所述金属衬垫和所述金属层基本上具有相同的宽度。

15.根据权利要求13所述的方法,其中,所述第二沟槽具有的宽度基本上小于所述第一沟槽的宽度。

16.根据权利要求13所述的方法,其中,所述金属层是超厚金属层。

17.根据权利要求13所述的方法,其中,在所述第一沟槽中形成连接至所述通道接触件的所述金属层之后实施平坦化工艺。

18.根据权利要求13所述的方法,其中,在所述第二沟槽中形成连接至所述金属层的所述衬垫接触件之后实施平坦化工艺。

19.根据权利要求16所述的方法,其中,所述金属层由铜形成。

20.根据权利要求19所述的方法,其中,所述衬垫接触件由铝形成。

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