[发明专利]金属－绝缘体－金属电容器及其制造方法

权利要求书

1.一种装置，包括：

第一绝缘膜；

第一金属层，形成在所述第一绝缘膜上方；

第一电容器绝缘膜，形成在所述第一金属层上方；

第二金属层，形成在部分所述第一电容器绝缘膜上方；

第二电容器绝缘膜，形成在所述第二金属层上方；

第三金属层，形成在部分所述第二电容器绝缘膜上方；

氮化膜，形成在所述第三金属层上方；

多层绝缘膜，形成在所得到的结构的整个上部表面的上方；以及

第一金属线和第二金属线，形成在接触孔中，所述接触孔在贯穿所述多层绝缘膜之后贯穿所述第一电容器绝缘膜、所述第二电容器绝缘膜和所述氮化膜；

其中，所述第一金属线(170)贯穿所述第一电容器绝缘膜(120)和所述多层绝缘膜(165)，而所述第二金属线(180)贯穿所述第二电容器绝缘膜(140)和所述多层绝缘膜(165)。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一金属线连接所述第三金属层和所述第一金属层。

3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第二金属线连接所述第一金属层和所述第二金属层。

4.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一金属层使用铜形成以具有裂缝结构。

5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第二金属层由Ti、Ti/TiN和Ti/Al/TiN中的一种制成。

6.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第三金属层使用Ti、Ti/TiN和Ti/Al/TiN中的一种形成以具有裂缝结构。

7.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一电容器绝缘膜、所述第二电容器绝缘膜和所述氮化膜由相同的材料制成。

8.根据权利要求1所述的装置，其中，每个所述第一电容器绝缘膜和所述第二电容器绝缘膜都具有450埃到700埃的厚度。

9.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第三金属层和所述第一金属层通过所述第一金属线连接，而所述第一金属层和所述第二金属层通过所述第二金属线连接，以构成平行连接的电容器部分。

10.一种方法，包括：

在包括第一金属层的第一绝缘膜上方顺序地形成第一电容器绝缘膜、第二金属层、第二电容器绝缘膜、第三金属层和氮化膜；

在所得到的结构的整个上部表面上方形成多层绝缘膜；

蚀刻所述多层绝缘膜和所述第一电容器绝缘膜，蚀刻所述多层绝缘膜和所述第二电容器绝缘膜，蚀刻所述多层绝缘膜和所述氮化膜，从而形成接触孔；以及

在所述接触孔中沉积铜，并使用化学机械抛光工艺平坦化所沉积的铜，从而形成第一金属线和第二金属线。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，在所述得到的结构的整个上部表面上方形成所述多层绝缘膜，包括：

使用第一掩模图样蚀刻所述氮化膜和所述第三金属层以暴露所述第二电容器绝缘膜；以及

使用第二掩模图样来部分蚀刻所述第二金属层和所述第二电容器绝缘膜以部分暴露所述第一电容器绝缘膜。

12.根据权利要求10所述的方法，其中，每个所述被蚀刻的氮化膜和所述被蚀刻的第三金属层都具有裂缝结构，所述裂缝结构具有相互隔开预定距离的裂缝。

13.根据权利要求10所述的方法，其中，蚀刻所述多层绝缘膜、所述氮化膜、所述第一电容器绝缘膜和所述第二电容器绝缘膜，从而形成接触孔，包括：

蚀刻部分所述多层绝缘膜以部分暴露所述第一电容器绝缘膜、所述氮化膜和所述第二电容器绝缘膜，并且在所述多层绝缘膜的被蚀刻的部分中形成牺牲光刻胶；

在形成所述牺牲光刻胶的区域中部分蚀刻所述多层绝缘膜和所述牺牲光刻胶，从而在所述多层绝缘膜中形成具有预定深度的凹槽；

去除所述牺牲光刻胶；以及

蚀刻所述多层绝缘膜、所述氮化膜和所述第二电容器绝缘膜以部分暴露所述第一金属层、所述第二金属层和所述第三金属层。

14.根据权利要求10所述的方法，其中，使用铜形成所述第一金属层以具有裂缝结构。

15.根据权利要求10所述的方法，其中，每个所述第三金属层和所述第二金属层都使用Ti、Ti/TiN和Ti/Al/TiN中的一种形成。