[发明专利]用于等离子处理装置的交替气体输送和排空系统有效
申请号: | 200810146790.9 | 申请日: | 2008-08-29 |
公开(公告)号: | CN101378003A | 公开(公告)日: | 2009-03-04 |
发明(设计)人: | 哈里·P·王;弗农·王;克里斯托弗·查尔斯·格里芬;马克·塔斯卡尔 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;C23C16/455;C23C14/54;C30B25/14;C23F4/00;F17D1/02;F17D1/04;H01J37/32 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 章社杲;吴贵明 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 等离子 处理 装置 交替 气体 输送 排空 系统 | ||
1.一种用于供应气体混合物至等离子处理室的气体分配系统,包 含:
连接至第一气体管道和第二气体管道的上游端的第一阀 门装置;
连接至该第一气体管道和该第二气体管道的下游端的第 二阀门装置;
连接在气体供应源和该第一阀门装置之间的第一气体分 配出口管道和连接在该第二阀门装置和该等离子处理室之间 的第一室入口管道;
在该第一阀门装置和该第二阀门装置之间的位置与该第 一气体管道连接的第一排空管道,该第一排空管道与真空管道 流体连通;
在该第一阀门装置和该第二阀门装置之间的位置与该第 二气体管道连接的第二排空管道,该第二排空管道与该真空管 道流体连通;和
控制器,可操作以驱动该第一阀门装置和第二阀门装置 以使该气体混合物选择性地沿该第一气体管道从该气体供应 源流至该等离子处理室,同时该第二气体管道由该真空管道选 择性地排空;或者使该气体混合物选择性地沿该第二气体管道 从该气体供应源流向该等离子处理室,同时该第一气体管道由 该真空管道选择性地排空。
2.根据权利要求1所述的气体分配系统,进一步包含:
连接在该真空管道和该第一排空管道与该第二排空管道 的下游端之间的第三阀门装置;和
该控制器进一步可操作以驱动该第三阀门装置,以选择 性地使该气体混合物沿该第一气体管道从该气体供应源流至 该等离子处理室,同时该第二气体管道由该真空管道选择性地 排空;或者使该气体混合物沿该第二气体管道选择性地从该气 体供应源流至该等离子处理室,同时该第一气体管道由该真空 管道选择性地排空。
3.根据权利要求2所述的气体分配系统,进一步包含:
连接至第三气体管道与第四气体管道的上游端的第四阀 门装置;
连接至该第三气体管道与该第四气体管道的下游端的第 五阀门装置;
连接在该气体供应源和该第四阀门装置之间的第二气体 分配出口管道,和连接在该第五阀门装置和该等离子处理室之 间的第二室入口管道;
在该第四阀门装置和该第五阀门装置之间的位置与该第 三气体管道连接的第三排空管道,该第三排空管道与该真空管 道流体连通;
在该第四阀门装置和该第五阀门装置之间的位置与该第 四气体管道连接的第四排空管道,该第四排空管道与该真空管 道流体连通;
连接在该真空管道和该第三排空管道与第四排空管道的 下游端的第六阀门装置;
该控制器进一步可操作以驱动该第四阀门装置、第五阀 门装置和第六阀门装置,以使该气体混合物选择性地同时沿该 第三气体管道及该第一气体管道从该气体供应源流至等离子 处理室的内部和外部区域,同时该第四气体管道及该第二气体 管道同时由该真空管道选择性地排空;或者使该气体混合物选 择性地同时沿该第四气体管道及该第二气体管道从该气体供 应源流至该等离子处理室的内部和外部区域,同时该第三气体 管道及该第一气体管道同时由真空管道选择性排空。
4.根据权利要求3所述的气体分配系统,其中该第一阀门装置、 第二阀门装置、第三阀门装置、第四阀门装置、第五阀门装置 和第六阀门装置的每一个是双向驱动三通气体阀门。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造