[发明专利]一种加强芯片散热的方法、装置及系统无效
申请号: | 200810146902.0 | 申请日: | 2008-08-26 |
公开(公告)号: | CN101359604A | 公开(公告)日: | 2009-02-04 |
发明(设计)人: | 郭俊生 | 申请(专利权)人: | 深圳华为通信技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/48;H01L23/367;H01L23/13;H01L23/498;H05K7/20 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 逯长明 |
地址: | 518129广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 加强 芯片 散热 方法 装置 系统 | ||
技术领域
本发明涉及电子通信技术领域,尤其是涉及一种加强芯片散热的方法、装置及系统。
背景技术
对于一些采用QFP(Quad Flat Package,方块平面封装)、QFN(Quad FlatNo leads package,方形扁平无引脚封装)封装的芯片来说,PCB(Printed CircuitBoard,印刷电路板)强化芯片散热的效率高低,直接决定着芯片的使用效果和使用寿命。采用QFP封装的芯片的60%热量都是通过芯片底部进行散热的,因此,利用PCB处理好芯片底部的散热至关重要。
对于底部有裸露的铜片加强散热的芯片,可将正对芯片底部的PCB部分铺锡与裸露铜片焊接,然后在PCB上设置通孔散热;对于底部没有裸露铜片的芯片,可在PCB正对芯片底部的部分铺铜后再设置通孔进行散热;利用该通孔和空气受热后的密度差异,将芯片散发的热量导入PCB内部或者PCB另一侧进行散热。
在对现有技术的研究和实践过程中,本发明的发明人发现现有技术存在以下问题:
一般来说,PCB与外壳之间不容易产生空气对流,只能利用空气传导散热,空气导热率仅0.025W/(m*℃);且PCB是由玻纤环氧树脂和铜组成的分层复合结构,整体的导热系数为各向异性,通常法线方向导热率一般不超过0.3W/(m*K)。因此,单纯依靠PCB和PCB上的通孔进行芯片散热,散热效率低。
发明内容
本发明实施例要解决的技术问题是提供一种加强芯片散热的方法、装置及系统,使得芯片底部散热效率提高。
为解决上述技术问题,本发明所提供的实施例是通过以下技术方案实现的:
一种加强芯片散热的方法:在印刷电路板与芯片底部对应处开设通孔,所述通孔边缘不超出芯片边缘;在所述通孔处加装散热器,所述散热器与所述芯片底部连接进行散热。
优选地,所述散热器与所述芯片底部连接进行散热具体为:
所述散热器与所述芯片底部通过固定在散热器基板上表面的突起连接进行散热。
优选地,所述散热器的基板下表面带有散热齿片。
优选地,所述在所述通孔处加装散热器进一步包括:在所述通孔的空隙里填充导热材料。
优选地,所述在所述通孔处加装散热器后还包括:在所述散热器基板下表面加装至少一个第二散热器。
一种散热器,至少包括基板和突起:所述突起固定在所述基板上表面,用于连接芯片底部和所述基板。
优选地,所述散热器的所述基板下表面固定有散热齿片。
一种印刷电路板,至少包括芯片和与芯片底部对应的通孔,所述通孔用于容纳散热器;所述芯片与散热器连接进行散热。
一种加强芯片散热的系统,包括印刷电路板和第一散热器:所述印刷电路板在与芯片底部对应处含有通孔,所述通孔边缘不超出芯片边缘;所述第一散热器通过印刷电路板上的通孔与芯片底部连接进行散热。
优选地,所述系统还包括第二散热器:所述第二散热器用于将第一散热器从芯片底部转移来的热量散发。
优选地,所述芯片与所述第一散热器之间和/或所述第一散热器与所述第二散热器之间填充有导热材料。
由上述技术方案可以看出,本发明实施例通过在PCB开设通孔加装散热器,并经由散热器与芯片底部连接的突起将芯片发散的热量转移到PCB外部的散热器上散发,提高了芯片底部的散热效率。
附图说明
图1是本发明实施例的实现环境架构示意图;
图2是本发明实施例一的方法流程示意图;
图3是本发明实施例散热器的结构示意图;
图4是本发明实施例散热器上突起的俯视图;
图5是本发明实施例散热器上散热齿片的俯视图;
图6是本发明实施例印刷电路板的结构示意图;
图7是本发明实施例加强芯片散热的系统结构示意图;
图8是本发明实施例加强芯片散热的另一种系统结构示意图;
图9是本发明实施例加强芯片散热的系统的第一散热器的俯视图。
具体实施方式
本发明具体实施方式提供了一种加强芯片散热的方法、装置及系统,通过在PCB开设通孔加装散热器,并经由散热器与芯片底部连接的突起将芯片发散的热量转移到PCB外部的散热器上散发,提高了芯片底部散热效率。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造