[发明专利]半导体发光元件

权利要求书

1.一种半导体发光元件，包含：

一基板，该基板具有一上表面及一下表面；

一多层结构，该多层结构形成于该基板的该上表面上并且包含一发光区，该多层结构具有一顶表面；以及

多个纳米复合结构，每一个纳米复合结构包含：

一第一纳米层，该第一纳米层形成于该多层结构的该顶表面上或该基板的该下表面上；以及

一第二纳米层，该第二纳米层形成于该第一纳米层上；

其中该第一纳米层的折射率大于该第二纳米层的折射率。

2.如权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，该多个纳米复合结构彼此间的间距小于发光区发射的光线的四分之一个波长。

3.如权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，该第一纳米层由硅所制成。

4.如权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，该第二纳米层由二氧化硅所制成。

5.如权利要求3所述的半导体发光元件，其特征在于，该第一纳米层由一电化学蚀刻制程形成。

6.如权利要求4所述的半导体发光元件，其特征在于，该第二纳米层由一热氧化制程所形成。

7.一种半导体发光元件，包含：

一基板，该基板具有一上表面；

一多层结构，该多层结构形成于该基板的该上表面上并且包含一发光区，该多层结构具有一顶表面；

多个第一纳米层，该多个第一纳米层形成于该多层结构的该顶表面上；以及

一第二纳米层，该第二纳米层形成于该多个第一纳米层上以及形成于该多层结构的该顶表面上；

其中每一个第一纳米层的折射率大于该第二纳米层的折射率。

8.如权利要求7所述的半导体发光元件，其特征在于，该多个第一纳米层彼此间的间距小于发光区发射的光线的四分之一个波长。

9.如权利要求7所述的半导体发光元件，其特征在于，该多个第一纳 米层由硅所制成。

10.如权利要求7所述的半导体发光元件，其特征在于，该第二纳米层由二氧化硅所制成。

11.如权利要求9所述的半导体发光元件，其特征在于，该多个第一纳米层由一电化学蚀刻制程所形成。

12.如权利要求10所述的半导体发光元件，其特征在于，该第二纳米层由一原子层沉积制程所形成。

13.一种半导体发光元件，包含：

一基板，该基板具有一上表面及一下表面；

一多层结构，该多层结构形成于该基板的该上表面上并且包含一发光区；

多个第一纳米层，该多个第一纳米层形成于该基板的该下表面上；以及

一第二纳米层，该第二纳米层形成于该多个第一纳米层上以及形成于该基板的该下表面上；

其中每一个第一纳米层的折射率大于该第二纳米层的折射率。

14.如权利要求13所述的半导体发光元件，其特征在于，该多个第一纳米层彼此间的间距小于发光区发射的光线的四分之一个波长。

15.如权利要求13所述的半导体发光元件，其特征在于，该多个第一纳米层由硅所制成。

16.如权利要求13所述的半导体发光元件，其特征在于，该第二纳米层由二氧化硅所制成。

17.如权利要求15所述的半导体发光元件，其特征在于，该多个第一纳米层由一电化学蚀刻制程所形成。

18.如权利要求16所述的半导体发光元件，其特征在于，该第二纳米层由一原子层沉积制程所形成。