[发明专利]半导体发光元件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体发光元件，包含：

一基板；

一缓冲层，该缓冲层是选择性地形成于该基板的一上表面上并使该基板的该上表面部分外露；

一多层结构，该多层结构的形成覆盖了该缓冲层及该基板外露的该上表面，该多层结构包含一发光区，其中该缓冲层辅助该多层结构的一最底层侧向磊晶及垂直磊晶；以及

一欧姆电极结构，该欧姆电极结构形成于该多层结构上。

2.如权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，该缓冲层是由氧化锌、氧化锌镁、氮化铝以及氧化铝中的其中一种材料形成。

3.如权利要求2所述的半导体发光元件，其特征在于，该最底层是由氮化镓所形成。

4.如权利要求2所述的半导体发光元件，其特征在于，该缓冲层的厚度范围从10nm至500nm。

5.如权利要求3所述的半导体发光元件，其特征在于，该缓冲层由一原子层沉积制程、一电浆增强原子层沉积制程或一电浆辅助原子层沉积制程形成，该缓冲层还可由原子层沉积制程和电浆增强原子层沉积制程或原子层沉积制程和一电浆辅助原子层沉积制程的组合制程形成。

6.如权利要求4所述的半导体发光元件，其特征在于，该缓冲层还通过一选择性蚀刻制程形成。

7.如权利要求5所述的半导体发光元件，其特征在于，该缓冲层的形成在一介于室温至1200℃之间的制程温度下执行。

8.如权利要求6所述的半导体发光元件，其特征在于，该缓冲层于形成后，是进一步于一介于400℃至1200℃之间的退火温度下执行退火。

9.如权利要求7所述的半导体发光元件，其特征在于，该氧化锌缓冲层的原料由一ZnCl₂先驱物、一ZnMe₂先驱物和一ZnEt₂先驱物中的任一种先驱物及一H₂O先驱物、一O₃先驱物、一O₂电浆和一氧自由基中的任一种先驱物组成。

10.如权利要求7所述的半导体发光元件，其特征在于，该氧化锌镁缓冲层的原料由一ZnCl₂先驱物、一ZnMe₂先驱物、一ZnEt₂先驱物、一MgCp₂先驱物和一Mg(thd)₂先驱物中的任一种先驱物及一H₂O先驱物、一O₃先驱物、一O₂电浆和一氧自由基中的任一种先驱物组成。

11.如权利要求7所述的半导体发光元件，其特征在于，该氮化铝缓冲层的原料由一AlCl₃先驱物、一AlMe₃先驱物、一AlEt₃先驱物、一Me₃N:AlH₃先驱物和一Me₂EtN:AlH₃先驱物中的任一种先驱物及一NH₃先驱物组成。

12.如权利要求7所述的半导体发光元件，其特征在于，该氧化铝缓冲层的原料由一AlCl₃先驱物、一AlBr₃先驱物、一AlMe₃先驱物和一AlEt₃先驱物中的任一种先驱物及一H₂O先驱物、一O₃先驱物、一O₂电浆和一氧自由基中的任一种组成。

13.如权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，该基板是一sapphire基板、一Si基板、一SiC基板、一GaN基板、一ZnO基板、一ScAlMgO₄基板、一YSZ(Yttria-Stabilized Zirconia)基板、一SrCu₂O₂基板、一LiGaO₂基板、一LiAlO₂基板和一GaAs基板中的任一种基板。