[发明专利]具有杂质捕集区域的硅晶圆及其制造方法

权利要求书

1.一种硅晶圆(silicon wafer)，包含：

一硅切片(silicon slice)，该硅切片具有一第一表面；以及

一第一杂质捕集区域(gettering region)，该第一杂质捕集区域形成于该硅切片的该第一表面上，并且由施加于该硅切片的该第一表面的一处理(treatment)形成。

2.如权利要求1所述的硅晶圆，其特征在于，该硅晶圆经过退火，致使在该硅切片中的杂质迁移至并局限于该第一杂质捕集区域处。

3.如权利要求2所述的硅晶圆，其特征在于，该硅切片自一硅铸锭(siliconingot)切下所得。

4.如权利要求3所述的硅晶圆，其特征在于，该硅切片还具有为该第一表面的反面的一第二表面，该硅晶圆进一步包含一第二杂质捕集区域，该第二杂质捕集区域系形成于该硅切片的该第二表面上，并且由施加于该硅切片的该第二表面之上的处理所形成，在该硅切片中的杂质迁移至并系局限于该第一杂质捕集区域以及该第二杂质捕集区域处。

5.如权利要求3所述的硅晶圆，其特征在于，该处理为该硅切片在切片过程中的一切割处理(sawing treatment)，并且该第一杂质捕集区域具有由该切割处理所导致的微裂缝(micro-crack)。

6.如权利要求3所述的硅晶圆，其特征在于，该处理为一喷砂处理(sand-blasting treatment)。

7.如权利要求3所述的硅晶圆，其特征在于，该处理在硅切片的该第一表面上形成一多晶硅区域(polycrystalline silicon region)，并且该多晶硅区域即做为该第一杂质捕集区域。

8.如权利要求1所述的硅晶圆，其特征在于，该硅晶圆系一单晶硅晶圆或一多晶硅晶圆。

9.一种制造一硅晶圆(silicon wafer)的方法，该方法包含下列步骤：

制备一硅铸锭(silicon ingot)；

对该硅铸锭切片以得到一硅切片(silicon slice)，该硅切片具有一第一表面；

以及

施加一处理(treatment)于该硅切片的该第一表面之上，使该硅切片的该第一表面上形成一第一杂质捕集区域(gettering region)。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，进一步包含下列步骤：

执行一退火处理，致使在该硅切片中的杂质迁移至并被局限于该第一杂质捕集区域处。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，该硅切片还具有为该第一表面的反面的一第二表面，该处理也施加于该第二表面上进而于该硅切片的该第二表面上形成一第二杂质捕集区域，在该硅切片中的杂质迁移至并被局限于该第一杂质捕集区域以及该第二杂质捕集区域处。

12.如权利要求10所述的方法，其特征在于，该处理于该硅切片的切片过程中的一切割处理(sawing treatment)，并且该第一杂质捕集区域具有由该切割处理所导致的微裂缝(micro-crack)。

13.如权利要求10所述的方法，其特征在于，该处理系一喷砂处理(sand-blasting treatment)。

14.如权利要求10所述的方法，其特征在于，该处理在硅切片的该第一表面上形成一多晶硅区域(polycrystalline silicon region)，并且该多晶硅区域即做为该第一杂质捕集区域。

15.如权利要求9所述的方法，其特征在于，该硅晶圆系一单晶硅晶圆或一多晶硅晶圆。