[发明专利]SSOI基板的制造方法

权利要求书

1.一种具有变形硅层的基板的制造方法，其包括：

提供基板；

在上述基板的表面上形成SiGe层；

在上述SiGe层的表面上生成具有比SiGe更小晶格常数的Si而形成变形的硅层；和

通过上述变形的硅层向所述SiGe层中注入离子；

其中在上述SiGe层的生成过程中掺加不纯物，达到注入的上述离子的深度处，

其中上述不纯物包括硼(B)、磷(P)和砷(As)中的一个元素，并且

其中上述离子包括氢离子。

2.如权利要求1所述的具有变形硅层的基板的制造方法，其中上述不纯物使用B₂H₆、PH₃和AsH₃中至少一个气体。

3.如权利要求2所述的具有变形硅层的基板的制造方法，其中上述不纯物的浓度在1e15至1e20cm^-3的范围内。

4.如权利要求2所述的具有变形硅层的基板的制造方法，其中上述不纯物以10至300sccm的流量被供应。

5.如权利要求2所述的具有变形硅层的基板的制造方法，其中上述不纯物在1至760托的压力下被掺加。

6.如权利要求2所述的具有变形硅层的基板的制造方法，其中上述不纯物在100至1200℃的温度内被掺加。

7.如权利要求1所述的具有变形硅层的基板的制造方法，其中上述离子包括氢离子H⁺或H₂⁺，上述氢离子的浓度在10¹⁵至10¹⁷cm^-2的范围内。

8.如权利要求1所述的具有变形硅层的基板的制造方法，其中上述SiGe层包括：

等级层，上述等级层的锗的浓度随着层的上升而增加；和 

均匀层，上述等级层的表面上锗的浓度保持一致，且不纯物层形成在上述均匀层内。

9.如权利要求8所述的具有变形硅层的基板的制造方法，其中在上述均匀层内包括的上述锗的浓度在10至100％的范围内。

10.如权利要求8所述的具有变形硅层的基板的制造方法，其中上述均匀层的厚度在0.1至5μm的范围内。

11.如权利要求8所述的具有变形硅层的基板的制造方法，其中上述均匀层是原位形成的。

12.如权利要求1所述的具有变形硅层的基板的制造方法，其中上述SiGe层和变形硅层是通过取向附生而形成的。

13.一种SSOI基板的制造方法，其包括：

提供第1基板；

在上述第1基板的表面上生成SiGe而形成SiGe层；

在上述SiGe层表面上生成具有比上述SiGe更小晶格常数的Si而形成变形的硅层；

从上述变形的硅层表面向上述SiGe层注入离子；

提供具有氧化膜的第2基板；

接合上述第1基板和上述第2基板而形成接合基板，其中上述变形的硅层和上述氧化膜互相面对；

通过对上述接合基板热处理，以上述离子注入的部分为中心分离上述接合基板；和

通过上述SiGe层的去除，完成包括上述变形的硅层、上述氧化膜和上述第2基板的SSOI基板；

其中，在形成所述SiGe层之后且在形成所述变形的硅层之前，将不纯物掺加到上述SiGe层的离子注入的深度，

其中上述不纯物包括硼(B)、磷(P)和砷(As)中的一个元素，并且

其中上述离子包括氢离子。 

14.如权利要求13所述的上述SSOI基板的制造方法，其中进一步包括，在形成上述变形的硅层之前实行用来上述SiGe层表面的平坦化的CMP工程。

15.如权利要求13所述的上述SSOI基板的制造方法，其中形成上述接合基板进一步包括，在接合之前将上述第1基板和第2基板洗净和弄干。