[发明专利]暖白光发光二极管及其橙黄色荧光粉无效
申请号: | 200810147394.8 | 申请日: | 2008-08-14 |
公开(公告)号: | CN101323784A | 公开(公告)日: | 2008-12-17 |
发明(设计)人: | 索辛纳姆;罗维鸿;蔡绮睿 | 申请(专利权)人: | 罗维鸿;陈建毅;张坤霖;张文泰 |
主分类号: | C09K11/80 | 分类号: | C09K11/80;H01L33/00 |
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地址: | 200231上海市徐*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 白光 发光二极管 及其 橙黄色 荧光粉 | ||
1.一种橙黄色荧光粉,其具有石榴石架构的稀 土铝酸盐类,其特征在于:该荧光粉成分中添加了 IV和V族元素的化合物,该橙黄色荧光粉的化学计 量方程式为:(∑Ln)3-xMeIVxAl5-ySiyO12-(x+y)Nx+y,其中 Ln=Y、Gd、Ce、Lu及Tb,MeIV=Zr及/或Hf,该化 学计量指数为:0.001≤x≤0.1,0.001≤y≤0.1。
2.如权利要求1所述的橙黄色荧光粉,其在光谱 的橙黄区域发光,发光范围从490~770nm,光谱最大 值为λmax≥570nm,半波宽大于120nm。
3.如权利要求1所述的橙黄色荧光粉,其所形成 的稀土元素阳离子亚晶格的关系为:∑ Lu=mY+nGd+pCe+qLu+lTb,其中,m+n+p+q+l=3-x。
4.如权利要求3所述的橙黄色荧光粉,其中定义 f=m+n+p+q+l,所含的稀土元素阳离子晶格的浓度 为:Y:0.05≤m/f≤0.25;Gd:0.50≤n/f≤0.65;Ce: 0.001≤p/f≤0.1;Lu:0.001≤q/f≤0.05;Tb:0.001 ≤l/f≤0.05。
5.如权利要求1所述的橙黄色荧光粉,其中该硅 离子Si+4在阴离子亚晶格中的含量为0.001≤[Si]=y≤ 0.1原子分率。
6.如权利要求1所述的橙黄色荧光粉,其中该IV 族离子在阳离子亚晶格中的含量为0.001≤x≤0.1原 子分率。
7.如权利要求1所述的橙黄色荧光粉,其中该荧 光粉的颗粒呈略圆状,平均颗粒度为2.2≤d50≤5μ m。
8.如权利要求1所述的橙黄色荧光粉,其中该荧 光粉颗粒的形貌为球锥体,光透明度高。
9.如权利要求1所述的橙黄色荧光粉,其可以通 过在高温和弱还原气体中对氧化物原料进行热加工 处理而制取,该方法的特点在于:向原料中添加IV 族的氮化物HfN及/或ZrN或它们的当量分子混合物, 放在1520~1700℃的炉子里加热4~8小时,炉子中的 氢气浓度为氮-氢混合气体的2-5%。
10.一种使用如权利要求1所述的橙黄色荧光粉 的暖白光发光二极管,其具有一In-Ga-N异质结为基 质,含有大量的量子阱,并具有一光谱转换器,该 发光二极管的特征在于:该光谱转换器及异质结的 所有发光平面及侧面是连接的,该光谱转换器以厚 度均匀,呈中心对称的形态分布在该发光二极管中。
11.如权利要求10所述的暖白光发光二极管,其 中该光谱转换器的厚度为100到250微米。
12.如权利要求10所述的暖白光发光二极管,其 中该发光二极管所发出的光具有暖白色调,色坐标 为0.41≤x≤0.43,0.39≤y≤0.420,色温为2760≤T ≤3500K。
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