[发明专利]抗反射结构和抗反射成形体无效
申请号: | 200810147565.7 | 申请日: | 2008-08-28 |
公开(公告)号: | CN101377554A | 公开(公告)日: | 2009-03-04 |
发明(设计)人: | 野口雄司;福井孝之 | 申请(专利权)人: | 日产自动车株式会社 |
主分类号: | G02B1/11 | 分类号: | G02B1/11;B60K37/00 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 反射 结构 成形 | ||
1.一种抗反射结构,其包括:
具有表面的平坦层;
微细结构层,其包括:
许多截头状微细突起,每一个截头状微细突起均包括:
前端部,和
基面,所述基面为下列两种中的至少一种:
截头状圆锥的圆形的基面,所述圆形基面具有直径为D的圆,和
截头状棱锥的多边形的基面,所述多边形基面具有直径为D的所述多边形基面的外接圆,
所述截头状微细突起以限定节距的方式布置在所述平坦层的表面上,
其中,在每一个所述截头状微细突起的所述前端部中形成第一反射面且位于相邻的所述截头状微细凸起之间的、所述平坦层的表面上的平坦区域形成第二反射面的情况下:
所述圆的直径D以及所述外接圆的直径D中的每一方均小于入射的电磁波的波长λ,且
所述节距小于所述入射的电磁波的波长λ。
2.根据权利要求1所述的抗反射结构,其特征在于,
通过用所述第一反射面的第一占有率除以所述第二反射面的第二占有率得到的比值在0.2至2的范围内,且
由下式(1)给出每一个所述微细突起的高度H:
H=A×(λ/2n) ----式(1)
其中,n表示形成所述微细突起的部分的平均折射率,A表示在0.6至1.4的范围内的任意值,所述平均折射率n被定义为通过对从所述微细突起的所述前端部到所述微细突起的所述基面的折射率取平均值而获得的值。
3.根据权利要求2所述的抗反射结构,其特征在于,
所述比值在0.5至1.6的范围内。
4.根据权利要求2所述的抗反射结构,其特征在于,
所述任意值A在0.8至1.2的范围内。
5.根据权利要求1所述的抗反射结构,其特征在于,
每一个所述截头状微细突起的棱线是被构造成满足下式(2)的曲线:
X=(D/2)×{1-(Z/h)m} ----式(2)
其中,
X轴被限定在垂直于所述基面并通过所述前端部的第一中心和所述基面的第二中心的截面中的基侧,且所述第一中心和所述第二中心由中心线连接,
m表示在大于等于1且小于等于1.5的范围内的阶次,且
h表示从基面到顶点的高度,所述顶点是所述中心线的延长线与所述棱线的延长线的交点并且被布置在Z轴上,所述Z轴在垂直于所述基面并通过所述前端部的第一中心和所述基面的第二中心的截面中、通过所述前端部的第一中心和所述基面的第二中心且垂直于所述X轴,所述Z轴和所述X轴在所述基面的第二中心相交。
6.根据权利要求2所述的抗反射结构,其特征在于,
所述圆的直径D和所述外接圆的直径D中的每一方均小于或等于380nm,
所述节距小于或等于380nm,且
每一个所述微细突起的高度H在160nm至350nm的范围内。
7.根据权利要求6所述的抗反射结构,其特征在于,
每一个所述微细突起的高度H在160nm至240nm的范围内。
8.根据权利要求2所述的抗反射结构,其特征在于,
每一个所述微细突起的高度H在80nm至160nm的范围内。
9.根据权利要求2所述的抗反射结构,其特征在于,
每一个所述微细突起的高度H在350nm至45μm的范围内。
10.根据权利要求6所述的抗反射结构,其特征在于,
所述圆的直径D和所述外接圆的直径D中的每一方均小于或等于250nm,且
所述节距小于或等于250nm。
11.根据权利要求1所述的抗反射结构,其特征在于,
每一个所述微细突起均包括:
通过球度换算算出的直径在10nm至50nm的范围内的粒子,和
树脂。
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