[发明专利]一种具有SiN缓冲层的BST薄膜材料及其制备方法无效
| 申请号： | 200810147691.2 | 申请日： | 2008-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN101478065A | 公开（公告）日： | 2009-07-08 |
| 发明（设计）人： | 蒋书文;熊年登;李言荣;姜斌 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01P1/00 | 分类号： | H01P1/00;H01G7/06;H01B5/14;C23C16/34;C23C16/42 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610054四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 sin 缓冲 bst 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
1、一种具有SiN缓冲层的BST薄膜材料，包括衬底(1)、下电极(2)、上电极(5)和BST薄膜(4)；其特征在于，所述下电极(2)与上电极(5)之间还具有SiN缓冲层(3)。
2、根据权利要求1所述的具有SiN缓冲层的BST薄膜材料，其特征在于，所述SiN缓冲层(3)位于下电极(2)与BST薄膜(4)之间。
3、根据权利要求1所述的具有SiN缓冲层BST薄膜材料，其特征在于，所述SiN缓冲层(3)位于BST薄膜(4)与上电极(5)之间。
4、根据权利要求1所述的具有SiN缓冲层BST薄膜材料，其特征在于，所述SiN缓冲层(3)为两层，第一SiN缓冲层(3)位于下电极(2)与BST薄膜(4)之间；第二SiN缓冲层(3)位于BST薄膜(4)与上电极(5)之间。
5、根据权利要求1、2、3或4所述的具有SiN缓冲层BST薄膜材料，其特征在于，所述衬底(1)为Al2O3基片；所述下电极(2)是PtTi合金电极，或是Ti/Pt两层结构或Ti/Pt/Ti三层结构的复合电极，其中Ti层居于衬底和Pt层之间，用于改善Pt与衬底之间的晶格匹配；所述上电极(5)是PtTi合金电极，或是Ti/Pt两层结构或Ti/Pt/Ti三层结构的复合电极，其中Ti层居于介质层和Pt层之间，用于改善Pt与介质层之间的晶格匹配；所述BST薄膜(4)的具体成分为Ba0.5Sr0.5TiO3。
6、一种具有SiN缓冲层BST薄膜材料的制备方法，其特征在于，该方法包括SiN缓冲层的制备步骤。
7、根据权利要求6所述的具有SiN缓冲层BST薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述SiN缓冲层的制备步骤在衬底(1)上制得下电极(2)之后，在制备BST薄膜之前进行，所制备的BST薄膜材料，其SiN缓冲层位于下电极(2)与BST薄膜(4)之间。
8、根据权利要求6所述的具有SiN缓冲层BST薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述SiN缓冲层的制备步骤在制备BST薄膜(4)之后，在制备上电极(5)之前进行，所制备的BST薄膜材料，其SiN缓冲层位于BST薄膜(4)与上电极(5)之间。
9、根据权利要求6所述的具有SiN缓冲层BST薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述SiN缓冲层的制备步骤在衬底(1)上制得下电极(2)之后，在制备BST薄膜之前进行；以及在制备BST薄膜(4)之后，在制备上电极(5)之前进行，所制备的BST薄膜材料，其第一SiN缓冲层位于下电极(2)与BST薄膜(4)之间，第二SiN缓冲层位于BST薄膜(4)与上电极(5)之间。
10、根据权利要求5、7、8或9所述的具有SiN缓冲层BST薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述SiN缓冲层的制备步骤具体采用氧等离子体化学气相淀积方法。
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