[发明专利]一种柔性有机光电子器件用基板及其制备方法

权利要求书

1.一种柔性光电子器件用基板，包括柔性衬底，其特征在于，所述柔性衬底表面设置有粘结层和导电薄膜，所述导电薄膜沉积在粘结层的表面，所述粘结层材料是需要紫外光固化的胶粘剂，所述胶粘剂的原料包括以下组份：

多硫醇-多烯体系                90～99.5％

单官能团或多官能团丙烯酸       0.2～3％

光引发剂                       0.1～3％

光敏剂和助剂                   0.2～6％

其中光引发剂为乙酰苯衍生物，光敏剂包括硫杂蒽醌和米蚩酮，助剂包括防静电剂、阻燃剂和偶联剂。

2.根据权利要求1所述的柔性光电子器件用基板，其特征在于，所述多硫醇-多烯体系包括以下结构式的物质：

3.根据权利要求1所述的柔性光电子器件用基板，其特征在于，所述偶联剂包括甲基乙烯基二氯硅烷、甲基氢二氯硅烷、二甲基二氯硅烷、二甲基一氯硅烷、乙烯基三氯硅烷、γ-氨丙基三甲氧基硅烷、聚二甲基硅氧烷、聚氢甲基硅氧烷、聚甲基甲氧基硅氧烷、γ-甲基丙烯酸丙醋基三甲氧基硅烷、γ-氨丙基三乙氧基硅烷、γ-缩水甘油醚丙基三甲氧基硅烷、氨丙基倍半硅氧烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、长链烷基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、γ-氯丙基三乙氧基硅烷、双-(γ-三乙氧基硅基丙基)、苯胺甲基三乙氧基硅烷、N-β(氨乙基)-γ-氨丙基三甲氧基硅烷、N-(β-氨乙基)-γ-氨丙基三乙氧基硅烷、N-β(氨乙基)-γ-氨丙基甲基二甲氧基硅烷、γ-(2，3-环氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷、γ-(甲基丙烯酰氧)丙基三甲基硅烷、γ-巯基丙基三甲氧基硅烷、γ-巯基丙基三乙氧基硅烷。

4.根据权利要求1所述的柔性光电子器件用基板，其特征在于，所述柔性衬底是金属箔和聚合物薄膜中的一种。

5.根据权利要求1所述的柔性光电子器件用基板，其特征在于，所述粘结层是单层结构或者双层结构或者多层结构；双层结构中底层胶粘剂成分与顶层胶粘剂成分相同或者不同，底层胶粘剂形成的粘结层厚度与顶层胶粘剂形成的粘结层厚度相同或者不同；多层结构是双层结构的M次重复或者是单层结构的N次重复，其中100>M>1，200>N>1。

6.一种柔性光电子器件用基板的制备方法，包括以下步骤：

①先对柔性衬底进行彻底的清洗，清洗后干燥；

②将柔性衬底表面涂覆粘结层材料，所述粘结层材料包括以下组份：

多硫醇-多烯体系           90～99.5％

单官能团或多官能团丙烯酸  0.2～3％

光引发剂                  0.1～3％

光敏剂和助剂              0.2～6％

其中光引发剂为乙酰苯衍生物，光敏剂包括硫杂蒽醌和米蚩酮，助剂包括防静电剂、阻燃剂和偶联剂；

③再将衬底上制备导电薄膜；

④测试基板的各项本征参数和光电性能；

对于胶粘剂的紫外光固化分别在步骤②和/或步骤④结束时实施。

7.根据权利要求6所述的柔性光电子器件用基板的制备方法，其特征在于，步骤②中，粘结层直接制备于柔性衬底上，或者经过有机溶剂稀释后制备于柔性衬底上；所述粘结层和导电薄膜是通过真空蒸镀、离子团束沉积、离子镀、直流溅射镀膜、RF溅射镀膜、离子束溅射镀膜、离子束辅助沉积、等离子增强化学气相沉积、高密度电感耦合式等离子体源化学气相沉积、触媒式化学气相沉积、磁控溅射、电镀、旋涂、浸涂、喷墨打印、辊涂、LB膜中的一种或者几种方式而形成。

8.一种柔性光电子器件用基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

①利用洗涤剂、丙酮溶液、乙醇溶液和去离子水对柔性衬底进行超声清洗，清洗后用干燥氮气吹干；

②将同乙醇进行1∶10稀释的胶粘剂搅拌20小时后，旋涂在柔性衬底表面，转速为2000～3000转/秒，时长60秒，膜厚为100纳米，所述胶粘剂的原料包括以下组份：

多硫醇-多烯体系             90～99.5％

单官能团或多官能团丙烯酸    0.2～3％

光引发剂                    0.1～3％

光敏剂和助剂                0.2～6％

其中光引发剂为乙酰苯衍生物，光敏剂包括硫杂蒽醌和米蚩酮，助剂包括防静电剂、阻燃剂和偶联剂

③对基板表面进行紫外光固化处理30秒；

④将基板放入真空室，在室温条件下，通过DC磁控溅射的手段，在1000瓦功率以下在基板表面溅射100纳米厚的透明导电薄膜；

⑤将镀有导电薄膜的基板再次进行紫外光固化处理60秒；

⑥测试基板的透过率、电导率和表面形貌的各项参数。