[发明专利]一种AlXIn1-XN薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种Al_xIn_1-xN薄膜的制备方法，其特征在于工艺步骤依次如下：

(1)衬底的处理

衬底为Si(111)或玻璃或蓝宝石，在常温、常压下将所述衬底清洗干净后置于氮气环境中吹干；

(2)缓冲层AlN的生长

将经步骤(1)处理的衬底放入溅射室，在真空条件下采用溅射法在衬底上生长缓冲层AlN，靶材为Al，N₂为反应气体，Ar为工作气体，N₂与Ar的流量比为9∶1，直流溅射功率50W～60W，溅射时间20分钟～30分钟，溅射过程中衬底的温度控制在400℃～600℃；

(3)Al_xIn_1-xN薄膜的生长

缓冲层AlN的生长结束后，将靶材更换为Al与In的质量比为1∶1的Al-In合金，在真空条件下采用溅射法完成Al_xIn_1-xN薄膜的生长，N₂为反应气体，Ar为工作气体，N₂与Ar的流量比为3∶1，射频溅射功率80W～160W，溅射时间10分钟～30分钟，溅射过程中衬底的温度控制在250℃～350℃。

2.根据权利要求1所述的Al_xIn_1-xN薄膜的制备方法，其特征在于衬底清洗方式为：首先在有机清洗剂中超声波清洗，时间至少为30分钟；然后用去离子水清洗，时间至少为10分钟。

3.根据权利要求1所述的Al_xIn_1-xN薄膜的制备方法，其特征在于衬底清洗方式为：首先在有机清洗剂中超声波清洗，时间至少为30分钟；然后在H₂SO₄-H₃PO₄溶液中煮沸或在HF中浸泡，时间至少为10分钟；再用去离子水清洗，时间至少为10分钟。

4.根据权利要求3所述的Al_xIn_1-xN薄膜的制备方法，其特征在于H₂SO₄-H₃PO₄溶液中，H₂SO₄与H₃PO₄的体积比为3∶1。

5.根据权利要求2或3或4所述的Al_xIn_1-xN薄膜的制备方法，其特征在于有机清洗剂为丙酮或三氯乙烯或无水乙醇。

6.根据权利要求5所述的Al_xIn_1-xN薄膜的制备方法，其特征在于缓冲层AlN的生长时，本底真空度≤5×10^-5Pa；Al_xIn_1-xN薄膜的生长时，本底真空度≤5×10^-5Pa。