[发明专利]SDRAM损坏存储单元地址管理方法无效

专利信息
申请号: 200810148061.7 申请日: 2008-12-26
公开(公告)号: CN101567221A 公开(公告)日: 2009-10-28
发明(设计)人: 杨修;邹铮贤 申请(专利权)人: 和芯微电子(四川)有限公司
主分类号: G11C29/04 分类号: G11C29/04;G11C11/4078
代理公司: 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 代理人: 徐 丰
地址: 610041四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: sdram 损坏 存储 单元 地址 管理 方法
【权利要求书】:

1、SDRAM损坏存储单元地址管理方法,其特征在于:将SDRAM片外配置有后备存储器,所述后备存储器每个地址对应的存储单元的大小大于或等于SDRAM存储单元的大小;当初始化时,增加损坏存储单元扫描操作,对SDRAM中所有地址的存储单元进行N次交错的“0”和“1”数据读写操作,通过多次比较读写数据是否完全一致,判断SDRAM的存储单元是否损坏,其中,N≥2。

2、根据权利要求1所述SDRAM损坏存储单元地址管理方法,其特征在于:所述增加损坏存储单元扫描操作,即针对每片逻辑Bank按照逐行扫描、逐列扫描的方式扫描。

3、根据权利要求1所述SDRAM损坏存储单元地址管理方法,其特征在于操作流程为:当每次上电,SDRAM Controller对SDRAM进行初始化操作时,SDRAM Controller首先将操作地址置为初始化地址,对该操作地址进行N次的“0”和“1”交错数据读写,得出同一数据的读写是否完全一致,判断SDRAM的存储单元是否损坏;当SDRAM同一地址写入的数据与立即读出的数据有差异时,则表示所述地址对应的存储单元有损坏,此时SDAM Controller将所述地址打上标记,同时记录在SDAM Controller的内存中。

4、根据权利要求1所述SDRAM损坏存储单元地址管理方法,其特征在于:所述额外配置的后备存储器存储单元的大小必须等于或者大于SDRAM存储单元的大小。

5、根据权利要求3所述SDRAM损坏存储单元地址管理方法,其特征在于:当SDRAM所有地址的扫描结束,SDRAM损坏存储单元的总大小小于后备存储器时,SDRAMController需要将内存中的所有损坏存储单元的地址进行记录、汇总和重新排序,将损坏存储单元的所有地址与后备存储器的地址进行一一对应,并且把地址映射表记录在SDRAM Controller中。

6、根据权利要求3所述SDRAM损坏存储单元地址管理方法,其特征在于:当SDRAM所有地址的扫描结束,SDRAM Controller会首先判断损坏存储单元的总大小是否超过后备存储器,如果超过,则结束本管理方法。

7、根据权利要求3所述SDRAM损坏存储单元地址管理方法,其特征在于:当外界通过SDRAM Controller访问SDRAM时,SDRAM Controller首先需要在内部根据记录的损坏存储单元地址列表判断所需访问的存储单元是否有损坏,如果没有损坏,那么继续访问;如果有损坏,SDRAM Controller保持对SDAM对应地址的访问,但是需要将数据屏蔽信号置为有效,同时根据SDRAM Controller内部保存的地址映射表得出SDRAM被访问地址所对应的后备存储器地址,并且对后备存储器中的这个地址发起相应的访问。

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