[发明专利]一种基于半导体光放大器偏振旋转效应的电光采样方法无效

专利信息
申请号: 200810148070.6 申请日: 2008-12-26
公开(公告)号: CN101482579A 公开(公告)日: 2009-07-15
发明(设计)人: 刘永;杨惠姣;张尚剑;张谦述;罗茂捷;徐天翔;刘永智;李和平 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: G01R15/24 分类号: G01R15/24;G01D5/28;G02F1/03;G02F7/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610054四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 半导体 放大器 偏振 旋转 效应 电光 采样 方法
【权利要求书】:

1.一种基于半导体光放大器偏振旋转效应的电光采样方法,其特征是它包含以下步骤:

步骤1电光采样系统构成

电光采样系统由输入光纤(1),第一偏振控制器(4),半导体光放大器(5),第二偏振 控制器(6),偏振合束器(7)和输出光纤(3)依次通过光连接构成;

步骤2光学工作参数的确定

步骤2a:从半导体光放大器(5)的技术说明文件确定半导体光放大器(5)的输入电流 强度的最小值Il和最大值Ir

步骤2b:在半导体光放大器(5)的输入电极(2)输入强度为Il的电流,在输入光纤(1) 中输入光功率P在-30dBm至-15dBm范围内的小信号连续光,在输出光纤(3)输出端测量 光功率大小;

步骤2c:把第一偏振控制器(4)的偏振方向与半导体光放大器(5)的波导层夹角θa设为45度,偏振合束器(7)的透光轴与半导体光放大器(5)的波导层夹角β设为45度, 调整第二偏振控制器(6)偏振方向与半导体光放大器(5)的波导层夹角θb,从而为TE模与 TM模引入附加相差Φpc,使从输出光纤(3)输出的光功率最小;

步骤2d:在45度附近调整第一偏振控制器(4)的偏振方向与半导体光放大器(5)的 波导层夹角θa,当从输出光纤(3)输出的光功率为零时记录下θa,θb和β的值;

步骤2e:在半导体光放大器(5)的工作电流范围[Il,Ir]内改变半导体光放大器(5)的 输入电流强度,从输出光纤(3)的输出端得到输出光功率随输入信号电流强度单调递增的特 性曲线;

步骤3静态工作点的确定

选取特性曲线的线性区BC段为电光采样系统的工作区,其对应的输入电流强度变化范 围为[Ib,Ic],把线性工作区的中点D的输入电流强度值Id设为半导体光放大器(5)的静态 工作点;

步骤4电光采样的实现

步骤4a:在半导体光放大器(5)的输入电极(2)上输入电流强度为Id的静态工作电流, 同时在半导体光放大器(5)的输入电极(2)上输入最大幅度为0.5·|Ib-Ic|、频率为fc的模 拟信号电流;

步骤4b:在电光采样系统的光输入端输入重复频率为fs,峰值功率为P的采样光脉冲,在光 输出端得到光功率随输入信号电流强度线性变化的光脉冲,从而完成了电光采样。

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