[发明专利]移相器用低损耗LiZn铁氧体材料及制备方法有效
申请号: | 200810148121.5 | 申请日: | 2008-12-31 |
公开(公告)号: | CN101552072A | 公开(公告)日: | 2009-10-07 |
发明(设计)人: | 蒋晓娜;兰中文;余忠;孙科;姬海宁;刘培元;庄亚明 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01F1/34 | 分类号: | H01F1/34;H01F1/37;C04B35/26;C04B35/64 |
代理公司: | 成都惠迪专利事务所 | 代理人: | 刘 勋 |
地址: | 610054四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 移相器 损耗 lizn 铁氧体 材料 制备 方法 | ||
技术领域
本技术涉及铁氧体材料制备技术领域,特别涉及具有低矫顽力、低介电损耗、高饱和磁化强度LiZn铁氧体材料的制备技术领域。
背景技术
LiZn铁氧体因具有室温下饱磁化强度可调范围宽、居里温度高、矩形比高、剩磁对应力敏感性低、温度稳定性好和成本低等特点而被广泛应用于微波闭锁式移相器和高功率器件。与半导体移相器相比,铁氧体移相器在S波段至Ku波段能够承受较高的峰值功率。为了提高移相器的幅相平衡一致性、降低移相器的驱动电流,应用于其中的LiZn铁氧体必须具有低的矫顽力(Hc)、低的损耗(tanδε′)以及良好的温度稳定性,同时还需要具有高的饱和磁化强度(4πMs)以提高移相器单位长度的相移量、缩小器件体积。
2000年西南技术研究所公布的XL45A型LiZn铁氧体饱和磁化强度4πMs=450±5%mT,铁磁共振线宽ΔH=25.4±25%kA·m-1,介电损耗tanδε′,<5×10-4,介电常数τ=15,居里温度Tc>500℃,密度ρapp=4.75g·m-3,但未给出该材料矫顽力Hc和剩磁Br参数。移相器材料应具有高剩磁,确保闭锁式移相器能够在剩磁状态下正常工作。另外,为适应器件小型化、轻量化的要求,移相器材料应具有低矫顽力,以减小驱动电路的体积和重量。
本文将要涉及到的BST为钛酸锶钡的简写。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是,提供一种具有低矫顽力、低介电损耗、高饱和磁化强度特性的移相器用低损耗LiZn铁氧体材料。
本发明还提供前述移相器用低损耗LiZn铁氧体材料的制备方 法。
本发明解决所述技术问题采用的技术方案是,移相器用低损耗LiZn铁氧体材料,由主料、添加剂和粘合剂构成,其特征在于,以Fe2O3、ZnO、Mn3O4、Li2CO3计算,主料包括64~71mol%Fe2O3、15~22mol%ZnO、0.8~1.5mol%Mn3O4、9.9~12mol%Li2CO3;相对于主料,添加剂以Bi2O3、BST、Nb2O5计算,比例为0.5~3.0wt%Bi2O3、0.1~0.5wt%BST、0.05~0.4wt%Nb2O5。
进一步的说,以Fe2O3、ZnO、Mn3O4、Li2CO3计算,主料为68.9mol%Fe2O3,18.8mol%ZnO,11mol%Li2CO3,1.3mol%Mn3O4;相对于主料,添加剂以Bi2O3、BST、Nb2O5计算,比例为1.0wt%Bi2O3、0.2wt%BST、0.3wt%Nb2O5。
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