[发明专利]低密度钛合金、高尔夫球头以及制造低密度钛合金部件的方法无效
| 申请号： | 200810148807.4 | 申请日： | 2008-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN101386932A | 公开（公告）日： | 2009-03-18 |
| 发明（设计）人： | 小川道治;野田俊治 | 申请（专利权）人： | 大同特殊钢株式会社 |
| 主分类号： | C22C14/00 | 分类号： | C22C14/00;A63B53/04 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁业平;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 密度 钛合金 高尔夫球 以及 制造 部件 方法 | ||
1.一种低密度钛合金，其包含：
7.1质量％-10.0质量％的Al；
1质量％-3.0质量％的Fe；
01质量％-0.3质量％的O；
5质量％或更低的N；
5质量％或更低的C，并且
余量为Ti以及不可避免的杂质。
2.根据权利要求1所述的低密度钛合金，其还包含：
01质量％-2.0质量％的V。
3.根据权利要求1所述的低密度钛合金，其还包含：
2.0质量％或更低的选自Cr、Ni和Mo中的至少一种元素。
4.根据权利要求2所述的低密度钛合金，其还包含：
2.0质量％或更低的选自Cr、Ni和Mo中的至少一种元素。
5.根据权利要求1所述的低密度钛合金，其还包含：
01质量％-0.3质量％的B和0.01质量％-0.3质量％的Si中的至少一种。
6.根据权利要求2所述的低密度钛合金，其还包含：
01质量％-0.3质量％的B和0.01质量％-0.3质量％的Si中的至少一种。
7.根据权利要求3所述的低密度钛合金，其还包含：
01质量％-0.3质量％的B和0.01质量％-0.3质量％的Si中的至少一种。
8.根据权利要求4所述的低密度钛合金，其还包含：
01质量％-0.3质量％的B和0.01质量％-0.3质量％的Si中的至少一种。
9.根据权利要求1所述的低密度钛合金，其比强度为205或更高。
10.根据权利要求2所述的低密度钛合金，其比强度为205或更高。
11.根据权利要求3所述的低密度钛合金，其比强度为205或更高。
12.根据权利要求4所述的低密度钛合金，其比强度为205或更高。
13.根据权利要求5所述的低密度钛合金，其比强度为205或更高。
14.根据权利要求6所述的低密度钛合金，其比强度为205或更高。
15.根据权利要求7所述的低密度钛合金，其比强度为205或更高。
16.根据权利要求8所述的低密度钛合金，其比强度为205或更高。
17.根据权利要求1所述的低密度钛合金，其在1000℃时的断面收缩率为40％或更高并且在1000℃时的流变应力为200MPa或更低。
18.根据权利要求2所述的低密度钛合金，其在1000℃时的断面收缩率为40％或更高并且在1000℃时的流变应力为200MPa或更低。
19.根据权利要求3所述的低密度钛合金，其在1000℃时的断面收缩率为40％或更高并且在1000℃时的流变应力为200MPa或更低。
20.根据权利要求4所述的低密度钛合金，其在1000℃时的断面收缩率为40％或更高并且在1000℃时的流变应力为200MPa或更低。
21.根据权利要求5所述的低密度钛合金，其在1000℃时的断面收缩率为40％或更高并且在1000℃时的流变应力为200MPa或更低。
22.根据权利要求6所述的低密度钛合金，其在1000℃时的断面收缩率为40％或更高并且在1000℃时的流变应力为200MPa或更低。
23.根据权利要求7所述的低密度钛合金，其在1000℃时的断面收缩率为40％或更高并且在1000℃时的流变应力为200MPa或更低。
24.根据权利要求8所述的低密度钛合金，其在1000℃时的断面收缩率为40％或更高并且在1000℃时的流变应力为200MPa或更低。
25.根据权利要求9所述的低密度钛合金，其在1000℃时的断面收缩率为40％或更高并且在1000℃时的流变应力为200MPa或更低。
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