[发明专利]保护带剥离方法及采用该保护带剥离方法的装置

权利要求书

1.一种保护带剥离方法，该保护带剥离方法在利用粘贴构 件从剥离带的非粘接面侧将剥离带按压在粘贴于半导体晶圆表 面的保护带上的同时、将剥离带粘贴于该保护带上，通过剥离 该剥离带，将保护带与剥离带一体地自半导体晶圆表面剥离， 其中，

上述方法包括以下过程：

高度检测过程，对粘贴在半导体晶圆上的保护带的剥离带 粘贴开始位置以及表面高度进行检测，该半导体晶圆载置保持 于剥离台上；

运算过程，算出第1动作量及第2动作量，该第1动作量是 基于上述保护带表面高度的检测信息使剥离构件移动，直到将 顶端尖锐的剥离构件卡在剥离带粘贴位置的保护带周缘而形成 作为剥离起点的剥离部位为止的动作量，该第2动作量是使粘 贴构件接近保护带，直到使缠挂于上述粘贴构件的剥离带与保 护带接触为止的动作量；

第1剥离过程，基于上述第1动作量将剥离构件卡在保护带 周缘，剥离保护带周缘部分的至少一部分而形成剥离部位；

粘贴过程，在使剥离了上述保护带的周缘部分的剥离构件 退避之后，基于第2动作量，在以粘贴构件将剥离带按压于保 护带上的同时，使半导体晶圆和粘贴构件沿着保护带表面方向 相对移动，从而将剥离带粘贴于保护带上；

第2剥离过程，以上述剥离部位为起点，使半导体晶圆和 粘贴构件沿着保护带表面方向相对移动，将剥离带与保护带一 体地自半导体晶圆表面剥离。

2.根据权利要求1所述的保护带剥离方法，其特征在于，

在上述运算过程中，将高度检测过程中、在半导体晶圆的 剥离带粘贴开始侧的包括晶圆边缘的规定范围内的多个检测值 的平均值作为保护带的表面高度。

3.根据权利要求2所述的保护带剥离方法，其特征在于，

根据检测值求出表面高度的分布，自该分布除去异常值而 求出在上述运算过程中求出的平均值。

4.根据权利要求1所述的保护带剥离方法，其特征在于，

求出预先确定的保护带的表面高度的基准值与通过实测求 出的保护带的表面高度的实测值的偏差，根据该偏差来校正在 上述运算过程中求出的两动作量。

5.根据权利要求1所述的保护带剥离方法，其中，

在上述剥离带粘贴开始侧的保护带的端部粘贴剥离带，自 该端部朝着剥离带粘贴终端侧粘贴剥离带。

6.根据权利要求1所述的保护带剥离方法，其特征在于，

使粘贴构件接近比上述剥离带粘贴开始侧的晶圆边缘靠近 晶圆中心的保护带表面地动作，在保持着粘贴构件的高度的状 态下朝着剥离带粘贴开始侧的晶圆边缘粘贴剥离带；

之后，在保持着粘贴构件的高度的状态下朝着剥离带粘贴 终端侧的晶圆边缘粘贴剥离带。

7.根据权利要求1所述的保护带剥离方法，其特征在于，

上述运算过程算出与剥离部位接触的粘贴构件的高度高于 保护带的非剥离部分的高度的第2动作量；

上述粘贴过程基于第2动作量，使剥离带对在第2剥离过程 中剥离的剥离部位的粘贴按压力比对保护带的非剥离部分的粘 贴按压力弱地进行粘贴。

8.根据权利要求1所述的保护带剥离方法，其特征在于，

同时进行上述粘贴过程和上述第2剥离过程。

9.根据权利要求1所述的保护带剥离方法，其特征在于，

上述第1剥离过程使半导体晶圆和剥离构件沿着保护带的 表面方向反向相对移动；

上述第2剥离过程以剥离部位为起点，使半导体晶圆和粘 贴构件沿着保护带的表面方向反向相对移动。

10.根据权利要求1所述的保护带剥离方法，其特征在于，

上述剥离构件为针；

上述粘贴构件为顶端尖锐的刀口构件。