[发明专利]处理基材的设备和方法无效
申请号: | 200810148893.9 | 申请日: | 2008-10-09 |
公开(公告)号: | CN101409212A | 公开(公告)日: | 2009-04-15 |
发明(设计)人: | 安孝俊;朴贵秀 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/306;B08B3/04;B08B3/08 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 梁兴龙;陈桂香 |
地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 基材 设备 方法 | ||
相关申请的交叉参考
本申请要求2007年10月10日提交的韩国专利申请No.10-2007-0101881 的优先权,在此引入该韩国专利申请的全部内容作为参考。
技术领域
本发明涉及处理基材的设备和方法,更具体而言,涉及一种通过在 填充有处理液的处理槽中浸渍晶片来清洁晶片的使用处理槽处理基材的 设备,以及一种使用该设备处理基材的方法。
背景技术
制造半导体器件的方法包括从半导体晶片上除去诸如微粒金属杂 质、有机污染物和表面薄膜等各种异物的清洁处理。在进行清洁处理的 设备中的批处理型晶片清洁设备包括基材清洁单元。基材清洁单元是进 行晶片清洁的单元。基材清洁单元包括多个处理槽。各处理槽具有大致 相同的结构,并且邻近配置。处理液经供应管线供应到各处理槽,并贮 存在各处理槽中。当清洁晶片时,通过在处理槽内贮存的处理液中浸渍 晶片来清洁晶片。
然而,由于在清洁处理中支撑晶片的支撑元件的原因,在具有上述 结构的清洁设备中晶片的清洁效率可能下降。在清洁处理中,处理槽中 浸渍的晶片置于支撑元件上,并且被支撑元件支撑着。此时,晶片上与 支撑元件接触的一部分未被处理槽中的处理液清洁。其结果是,当进行 后续程序时,晶片处理程序的效率可能下降。
发明内容
一些实施方案提供了一种清洁基材的设备。所述设备包括第一处理 槽、第二处理槽和转移部,所述第一处理槽包括具有填充有处理液的空 间的第一壳体和在处理中在所述第一壳体内支撑所述基材的第一支撑元 件,所述第二处理槽包括具有填充有处理液的空间的第二壳体和在处理 中在所述第二壳体内支撑所述基材的第二支撑元件,所述转移部将所述 基材转移到所述第一处理槽和所述第二处理槽,其中所述第一支撑元件 和第二支撑元件的形状使得在处理中所述第一支撑元件和第二支撑元件 与所述基材接触的点不同。
一些实施方案提供了一种清洁基材的方法。所述方法包括通过在处 理槽的处理液中浸渍基材以清洁所述基材,其中至少两个处理槽通过支 撑浸渍在所述处理液中的基材的不同点来清洁所述基材。
附图说明
附图用于进一步理解本发明,其并入本说明书中并构成它的一部分。 附图阐明本发明的示例性实施例,并与说明书一起用于解释本发明的原 理。在附图中:
图1是根据本发明的处理基材的设备的俯视平面图。
图2是图1示出的晶片清洁单元的主视图。
图3是图1示出的晶片清洁单元的侧视图。
图4是图3示出的舟形件的立体图。
图5是图3示出的舟形件支撑晶片的示图。
图6~9是根据本发明其他实施例的舟形件的立体图和舟形件支撑晶 片的示图。
图10是阐明根据本发明处理基材的方法的流程图。
具体实施方式
下面参照显示本发明实施例的附图更详细地描述本发明。然而,本 发明可以体现为多种不同形式,并且不应当认为本发明受限于在此提出 的实施例。相反,提供这些实施例是为了使本发明的公开内容清楚和完 整,并向本领域技术人员全面地表达本发明的范围。在附图中,为清楚 显示可以将各层和各区域的尺寸以及相对尺寸放大。同样的附图标记始 终指同样的元件。
图1是根据本发明的处理基材的设备的俯视平面图,图2是图1示 出的晶片清洁单元的主视图,图3是图1示出的晶片清洁单元的侧视图, 图4是图3示出的舟形件的立体图。
参照图1,处理基材的设备1进行半导体基材(下面,称作晶片)处理 的过程。处理基材的设备1包括盒子处理单元、第一晶片转移单元30、 晶片清洁单元40和第二晶片转移单元50。
盒子处理单元对接收多个晶片的元件(下面,称作盒子)进行处理。 储集单元用作盒子处理单元。该储集单元包括盒子接收部10和盒子转移 部20。多个盒子C被转移到盒子接收部10,盒子接收部10接收多个盒 子。盒子接收部10包括在盒子接收部10中运送盒子C的运入部12和从 盒子接收部10运出盒子C的运出部14。盒子C沿着盒子接收部10的行 与列二维地被装载。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造