[发明专利]粘接片、接合方法及接合体无效

专利信息
申请号: 200810148992.7 申请日: 2008-09-22
公开(公告)号: CN101391497A 公开(公告)日: 2009-03-25
发明(设计)人: 五味一博 申请(专利权)人: 精工爱普生株式会社
主分类号: B32B7/10 分类号: B32B7/10;B32B37/00;H01L21/00;H01L21/02;H01L21/48
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 汪惠民
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 粘接片 接合 方法
【权利要求书】:

1、一种粘接片,其特征在于,

与被粘接体粘接使用,

具有:具有规定功能的功能性基板;接合膜,其设于该功能性基板的一面侧,且含有金属原子、与该金属原子结合的氧原子、与所述金属原子及所述氧原子中至少一方结合的脱离基,

将能量赋予所述接合膜的至少局部区域,在所述接合膜的表面附近存在的所述脱离基从所述金属原子及所述氧原子中至少一方脱离,由此,在所述接合膜的表面的所述区域显现与所述被粘接体的粘接性。

2、如权利要求1所述的粘接片,其中,所述脱离基在所述接合膜的表面附近偏在。

3、如权利要求1或2所述的粘接片,其中,所述金属原子为铟、锡、锌、钛、及锑中至少一种。

4、如权利要求1所述的粘接片,其中,所述脱离基为氢原子、碳原子、氮原子、磷原子、硫原子及卤原子、或由这些各原子构成的原子团中至少一种。

5、如权利要求1所述的粘接片,其中,所述接合膜是将氢原子作为脱离基导入铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、锑锡氧化物(ATO)、含氟铟锡氧化物(FTO)、氧化锌(ZnO)或二氧化钛(TiO2)中而成的接合膜。

6、如权利要求1所述的粘接片,其中,所述接合膜中的金属原子和氧原子的存在比为3∶7~7∶3。

7、一种粘接片,其特征在于,

与被粘接体粘接使用,

具有:具有规定功能的功能性基板;接合膜,其设于该功能性基板的一面侧,且含有金属原子、由有机成分构成的脱离基,

将能量赋予所述接合膜的至少局部区域,在所述接合膜的表面附近存在的所述脱离基从该接合膜脱离,由此,在所述接合膜的表面的所述区域显现与所述被粘接体的粘接性。

8、如权利要求7所述的粘接片,其中,所述接合膜以有机金属材料为原材料且利用有机金属化学气相成长法进行成膜。

9、如权利要求8所述的粘接片,其中,所述接合膜在低还原性气氛下成膜。

10、如权利要求8或9所述的粘接片,其中,所述脱离基是所述有机金属材料中所含的有机物的一部分残留而成的。

11、如权利要求8所述的粘接片,其中,所述脱离基以碳原子为必需成分,由含有氢原子、氮原子、磷原子、硫原子及卤原子中至少一种的原子团构成。

12、如权利要求11所述的粘接片,其中,所述脱离基为烷基。

13、如权利要求8所述的粘接片,其中,所述有机金属材料为金属络合物。

14、如权利要求7所述的粘接片,其中,所述金属原子为铜、铝、锌及铁中的至少一种。

15、如权利要求7所述的粘接片,其中,所述接合膜中的金属原子和碳原子的存在比为3∶7~7∶3。

16、如权利要求1或7所述的粘接片,其中,所述接合膜在至少表面附近存在的所述脱离基从该接合膜脱离后,产生活性键。

17、如权利要求16所述的粘接片,其中,所述活性键为未结合键或羟基。

18、如权利要求1或7所述的粘接片,其中,所述接合膜的平均厚度为1~1000nm。

19、如权利要求1或7所述的粘接片,其中,所述接合膜形成为不具有流动性的固体状。

20、如权利要求1或7所述的粘接片,其中,所述功能性基板具有挠性。

21、如权利要求1或7所述的粘接片,其中,所述功能性基板形成为片状。

22、如权利要求1或7所述的粘接片,其中,所述功能性基板被形成为图案。

23、如权利要求1或7所述的粘接片,其中,所述功能性基板具有布线、电极、端子、电路、半导体电路、电波的收发信部、光学元件、显示体及功能性薄膜中至少一种功能。

24、如权利要求1或7所述的粘接片,其中,所述功能性基板的至少形成所述接合膜的部分以硅材料、金属材料或玻璃材料为主材料构成。

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