[发明专利]有机电致发光器件和其制造方法无效
申请号: | 200810149061.9 | 申请日: | 2005-02-28 |
公开(公告)号: | CN101369637A | 公开(公告)日: | 2009-02-18 |
发明(设计)人: | 竹内万善;城所敦;富田陵一;北村一典 | 申请(专利权)人: | 株式会社丰田自动织机 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/54;H01L51/52;H01L51/50;C23C16/30;C23C16/34 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 李平英 |
地址: | 日本爱知*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 电致发光 器件 制造 方法 | ||
1.一种制造有机电致发光器件的方法,该方法包括下述步骤:
在基片上形成至少具有第一电极层、有机光发射层和第二电极层的电致发光元件;和
提供至少SiH4气体和N2气,并调节SiH4气体的流率和所提供的电能,从而利用等离子体CVD方法,以等于或高于300纳米/分钟但等于或低于600纳米/分钟的淀积速率,在所述电致发光元件的表面上,形成由Si和硅的氮化物构成的密封薄膜以覆盖该电致发光元件。
2.如权利要求1所述的制造有机电致发光器件的方法,其中,按照NH3气流率与SiH4气流率之比设定为等于或高于0.0但等于或低于0.2的比率,提供NH3气体,以利用等离子体CVD方法形成密封薄膜。
3.如权利要求1所述的制造有机电致发光器件的方法,其中将聚硅氮烷施用于密封薄膜的表面,并使之经受烘烤处理,以形成由SiO2构成的第二密封薄膜。
4.如权利要求3所述的制造有机电致发光器件的方法,其中通过旋涂法、浸染法、流动法、辊式涂布法和丝网印法中的任何一种方法,施用聚硅氮烷。
5.如权利要求3所述的制造有机电致发光器件的方法,其中聚硅氮烷处于半干燥状态。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社丰田自动织机,未经株式会社丰田自动织机许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810149061.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于助听器的降噪电路
- 下一篇:含异氰酸酯的制剂
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择