[发明专利]电路板模型创建单元及其创建方法、分析模型创建方法有效

专利信息
申请号: 200810149154.1 申请日: 2008-09-12
公开(公告)号: CN101470768A 公开(公告)日: 2009-07-01
发明(设计)人: 藤森省吾;佐藤敏郎 申请(专利权)人: 富士通株式会社
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人: 张龙哺;冯志云
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 电路板 模型 创建 单元 及其 方法 分析
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种创建分析模型的技术和一种创建电路板模型的技术。本 发明尤其涉及以轻微的工作量(不牵涉CAD数据任何改变)而创建用于添 加旁路电容器(bypass capacitor)的分析模型和电路板模型的技术。

背景技术

诸如印刷电路板(PCB)之类的电路板、多端模块(MCM)以及LSI 封装的开发包括:通过利用电路板设计CAD进行电路板封装设计来建立 CAD数据;以及根据CAD数据和部件的属性数据来创建分析模型。然后, 根据分析模型通过利用电路模拟器进行模拟来分析电路操作。

分析结果例如包括每个频带(band)下的阻抗,然后由用户来评测分析 结果。当评价为电源噪声大时,需要采用特定手段来减小电源噪声。在此假 设用于减小噪声的手段为使用旁路电容器。

然而,添加旁路电容器需要相当长的时间(从几小时到一百几十小时以 上)来进行一系列工艺,包括电路板设计的改变和分析模型的创建。

日本专利申请公开No.2006-228252“半导体集成电路设计装置、半导 体集成电路设计方法、半导体集成电路制造方法以及可读记录介质 (SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DESIGNING APPARATUS, SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DESIGNING METHOD, SEMICONDUTOR INTEGRATED CIRCUIT MANUFACTURING METHOD, AND READABLE RECORDING MEDIA)”提供了一种在电路块(block) 中靠近噪声源添加旁路电容器以减小电路板上的电源噪声的技术。

然而,在所述专利文献中提供的技术仍然没有解决上述问题,即开发需 要相当长的时间。

发明内容

本发明的目的是提供一种用于创建电路板模型的程序、一种用于创建电 路板模型的方法以及用于创建电路板模型的装置,它们能够以轻微的工作量 对添加旁路电容器来进行模拟,而不牵涉CAD数据的任何改变,并且能够 通过模拟获得具有高准确度的分析结果。

在此提供的第一种分析模型创建程序是用于使计算机从电路板的CAD 数据执行待用于电路模拟的分析模型的创建处理的程序。

所述程序包括以下步骤:当创建所述分析模型时,判断旁路电容器的引 出部件;以及将系数参数添加到旁路电容器的引出部件的模型。分析模型对 应于图6所示的分析调用部件模型文件11、电路板模型文件12以及部件模 型文件21。

在此提供的第二种分析模型创建程序是用于使计算机从电路板的CAD 数据执行待用于电路模拟的分析模型的创建处理的程序。

所述程序包括以下步骤:当为了分析设置附加旁路电容器来减小噪声的 条件而调用分析模型时,改变添加到旁路电容器的引出部件的系数参数;以 及根据待设置的附加旁路电容器的属性添加或改变部件模型中的相关部件。

第三种分析模型创建程序是根据第一或者第二种分析模型创建程序的 程序,包括以下步骤:将用于旁路电容器的引出方法进行分类;以及根据引 出方法的差异添加不同的系数参数。

第一种电路板模型创建程序是用于使计算机从电路板的CAD数据执行 待用于电路模拟的电路板模型的创建处理的程序。

所述程序包括以下步骤:参照所述CAD数据中的部件信息,创建线列 表和导孔列表,所述线和导孔从LSI部件和旁路电容器的电源引脚或接地引 脚引出;以及当从目标旁路电容器的引脚引处理出的线没有被共用为从另一 旁路电容器的引脚引出的线,而被共用为从LSI部件的引脚引出的线时,参 照所创建的线列表和导孔列表,对应于从所述目标旁路电容器的电源引脚或 接地引脚引出的线,在所述电路板模型中创建线部件的元件,并且通过将所 述元件的属性值乘以或除以系数参数,在所述属性值中嵌入所述系数参数。

根据上述结构,能够执行一假设情形的模拟,只须添加旁路电容器属性 模型,而无须除了线部件的元件的属性值待乘以或除以的系数参数值的改变 之外的任何处理,在该假设情形中,是将一个旁路电容器添加在设置于LSI 部件的引脚和导孔之间的另一个旁路电容器附近。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士通株式会社,未经富士通株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810149154.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top