[发明专利]具有二极管和IGBT的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体衬底(10、11)，其包括第一导电类型层(11)；

多个IGBT区(1)，每个IGBT区(1)提供一个IGBT元件；以及

多个二极管区(2)，每个二极管区(2)提供一个二极管元件，

其中所述多个IGBT区(1)和所述多个二极管区(2)交替布置在所述衬底(10、11)中，

其中每个二极管区(2)都包括具有第二导电类型的肖特基接触区(24)，

其中所述肖特基接触区(24)用于回收来自所述第一导电类型层(11)的少数载流子，并且

其中所述肖特基接触区(24)设置在所述第一导电类型层(11)的第一表面部分中，并且邻近所述IGBT区(1)。

2.根据权利要求1所述的器件，

其中每个二极管区(2)进一步包括沟槽(17)，所述沟槽(17)围绕着所述肖特基接触区(24)，并且

其中所述沟槽(17)为矩形，穿过所述肖特基接触区(24)并且到达所述第一导电类型层(11)。

3.根据权利要求1或2所述的器件，

其中每个二极管区(2)进一步包括多个具有所述第二导电类型的欧姆接触区(28)，

其中所述多个欧姆接触区(28)被布置成点矩阵，

其中所述多个欧姆接触区(28)设置在所述第一导电类型层(11)的第二表面部分中，并且

其中从所述肖特基接触区(24)开始，将所述多个欧姆接触区(28)设置在所述二极管区(2)的内部。

4.根据权利要求1或2所述的器件，

其中每个二极管区(2)进一步包括第二导电类型区(23)和具有所述第二导电类型的欧姆接触区(28)，

其中所述第二导电类型区(23)设置在所述第一导电类型层(11)的第三表面部分中，

其中从所述肖特基接触区(24)开始，将所述第二导电类型区(23)设置在所述二极管区(2)的内部，

其中所述欧姆接触区(28)设置在所述第二导电类型区(23)的第四表面部分中，并且

其中所述欧姆接触区(28)的杂质浓度高于所述第二导电类型区(23)的杂质浓度。

5.根据权利要求4所述的器件，

其中每个二极管区(2)进一步包括沟槽(17)，所述沟槽(17)围绕着所述第二导电类型区(23)，并且

其中所述沟槽(17)为矩形，穿过所述第二导电类型区(23)并且到达所述第一导电类型层(11)。

6.根据权利要求5所述的器件，

其中所述多个IGBT区(1)和所述多个二极管区(2)沿重复方向交替布置，并且

其中所述欧姆接触区(28)沿着与所述重复方向垂直的方向延伸，使得所述欧姆接触区(28)具有带状图案。

7.根据权利要求6所述的器件，

其中所述欧姆接触区(28)设置在所述肖特基接触区(24)的第五表面部分中，并且

其中所述肖特基接触区(24)中的所述欧姆接触区(28)设置在所述二极管区(2)的内部。

8.根据权利要求6所述的器件，

其中每个IGBT区(1)包括：

第二导电类型层(14)，其设置在所述第一导电类型层(11)的第六表面部分中；

围绕着所述第二导电类型层(14)的多个沟槽(17)，所述沟槽(17)为矩形，穿过所述第二导电类型层(14)并且到达所述第一导电类型层(11)，并且沿所述重复方向布置；

器件区(I)，其设置在两个相邻的沟槽(17)之间，并且至少由所述第二导电类型层(14)提供；以及

接触部分(22)，其设置在两个相邻的沟槽(17)之间，

其中每个沟槽(17)沿与所述重复方向垂直的方向延伸，

其中所述接触部分(22)沿与所述重复方向垂直的方向延伸，

其中所述器件区(I)沿与所述重复方向垂直的方向延伸，使得所述器件区(I)在所述方向上具有一端和另一端，并且

其中所述肖特基接触区(24)和所述第二导电类型区(23)设置在所述器件区(I)的所述一端和所述另一端之间。