[发明专利]感应耦合等离子体处理设备

权利要求书

1.一种感应耦合等离子体处理设备，其包括：真空容器，其形成用于在减压下容纳被处理物的处理室；电介质壁容器，其形成等离子体室，所述等离子体室通过设置在与所述处理室中的所述被处理物相对的位置处的等离子体导入口与所述处理室连通，并且所述电介质壁容器设置有与所述等离子体导入口相对的底部以及覆盖所述底部与所述等离子体导入口之间的周部的侧壁部；线圈电极，其被布置在所述电介质壁容器的所述侧壁部的外侧；以及用于等离子体的高频电源，其通过向所述线圈电极施加高频电力而在所述等离子体室中形成等离子体，

其中，从已安置在所述处理室中的所述被处理物的最外周上的任一点开始并且经过所述等离子体导入口的所有直线都在所述电介质壁容器的所述底部的内表面上与所述底部形成交点。

2.根据权利要求1所述的感应耦合等离子体处理设备，其特征在于，当设由经过所述被处理物的最外周上的一点和所述等离子体导入口的最小孔径部的边缘上的定位于距所述一点最远部中的一点的直线与所述被处理物的表面形成的倾角为θ，设经过由所述电介质壁容器的所述底部与所述侧壁部形成的内交线上的一点和所述等离子体导入口的最小孔径部的边缘上的距所述内交线上的一点最近的一点的直线与所述电介质壁容器的底面形成的倾角为θ₀时，θ>θ₀。

3.根据权利要求1或2所述的感应耦合等离子体处理设备，其特征在于，所述电介质壁容器的所述底部的内表面的直径大于所述等离子体导入口的最小孔径，并且所述电介质壁容器的所述侧壁部形成直径从所述底部向所述等离子体导入口逐渐变小的截头圆锥状。

4.一种感应耦合等离子体处理设备，其包括：

等离子体形成室，其具有外周被线圈电极环绕的磁场形成部，并且通过向所述线圈电极施加高频电力而在所述等离子体形成室中形成等离子体；以及

处理室，其与所述等离子体形成室连通，并且在与所述线圈电极的中心轴线相交的位置处容纳被处理物；其中

从已安置在所述处理室中的所述被处理物上的任一点开始、经过所述处理室与所述等离子体形成室的连通部、并且到达所述等离子体形成室的所有直线在所述等离子体形成室上的比所述等离子体形成室的所述磁场形成部靠近所述中心轴线的位置具有交点。

5.一种感应耦合等离子体处理设备，其包括：

等离子体形成室，其具有外周被线圈电极环绕的磁场形成部，并且通过向所述线圈电极施加高频电力而在所述等离子体形成室中形成等离子体；以及

处理室，其与所述等离子体形成室连通，并且在与所述线圈电极的中心轴线相交的位置处容纳被处理物；其中

所述等离子体形成室使得其与所述处理室的连通部向比所述磁场形成部靠近所述中心轴线的靠近侧突出。

6.一种感应耦合等离子体处理设备，其包括：

等离子体形成室，其具有外周被线圈电极环绕的磁场形成部，并且通过向所述线圈电极施加高频电力而在所述等离子体形成室中形成等离子体；

处理室，其与所述等离子体形成室连通，并且在与所述线圈电极的中心轴线相交的位置处容纳被处理物；以及

突出构件，其位于所述等离子体形成室与所述处理室之间，在比所述磁场形成部靠近所述中心轴线的位置具有开口部，并且防止碎屑从所述被处理物飞到所述磁场形成部。

7.一种用在感应耦合等离子体处理设备中的电介质容器，其包括：

磁场形成部，其外周被线圈电极环绕；以及

开口部，等离子体可以通过所述开口部放出，

其中，所述开口部形成有渐缩侧壁，使得所述开口部能定位在比所述磁场形成部靠近所述线圈电极的中心轴线的位置。