[发明专利]在半导体器件中形成微图案的方法

权利要求书

1.一种用于形成半导体器件的方法，所述方法包括：

在衬底上形成蚀刻目标层；

在所述蚀刻目标层上形成第一蚀刻终止层；

在所述第一蚀刻终止层上形成第二蚀刻终止层；

在所述第二蚀刻终止层上形成第一牺牲层；

通过选择性地蚀刻所述第一牺牲层形成第一牺牲图案；

在所述第二蚀刻终止层和所述第一牺牲图案上形成第二牺牲层，所 述第二牺牲层与所述第一牺牲图案共形；

蚀刻所述第二牺牲层和所述第二蚀刻终止层，直至基本上暴露所述 第一牺牲图案并且所述第二牺牲层仅余留在所述第一牺牲图案的侧壁 上，所述余留第二牺牲层限定第二牺牲图案；

移除所述暴露的第一牺牲图案，所述第二牺牲图案限定暴露出所述 第二蚀刻终止层的开口；

使用所述第二牺牲图案作为蚀刻掩模来蚀刻所述暴露的第二蚀刻 终止层以限定多个第一结构，在蚀刻所述暴露的第二蚀刻终止层时所述 第一蚀刻终止层用作蚀刻阻挡层；

使用所述第一结构作为蚀刻掩模来蚀刻所述第一蚀刻终止层以限 定多个第二结构；和

通过使用所述第二结构作为蚀刻掩模来蚀刻所述蚀刻目标层。

2.根据权利要求1的方法，其中所述第二蚀刻终止层与所述第二 牺牲层包括不同的材料。

3.根据权利要求1的方法，其中所述第二蚀刻终止层与所述第二 牺牲层包括具有基本相同蚀刻速率的材料。

4.根据权利要求1的方法，其中所述第二牺牲层具有与所述第一 牺牲层明显不同的蚀刻特征。

5.根据权利要求4的方法，其中所述第二蚀刻终止层具有与所述 第一蚀刻终止层明显不同的蚀刻特征。

6.根据权利要求5的方法，其中所述第一牺牲层包括选自以下中 的一种：氧化物层、旋涂层、多晶硅层和非晶碳层。

7.根据权利要求1的方法，还包括在所述第一牺牲层上形成抗反 射层。

8.根据权利要求7的方法，其中所述抗反射层包括底部抗反射涂 层(BARC)。

9.根据权利要求8的方法，其中所述抗反射层具有介电抗反射涂 层(DARC)和所述BARC层的堆叠结构。

10.根据权利要求1的方法，其中通过干蚀刻工艺或湿蚀刻工艺来 实施所述第一牺牲图案的移除。

11.根据权利要求10的方法，其中使用氮(N₂)和氧(O₂)气体或溴化 氢(HBr)气体或其组合来实施所述干蚀刻工艺。

12.根据权利要求10的方法，其中使用稀氟化氢(DHF)或缓冲氧 化物蚀刻剂(BOE)来实施所述湿蚀刻工艺。

13.根据权利要求1的方法，其中所述第一结构包括所述第二牺牲 图案和所述第二蚀刻终止层。

14.根据权利要求13的方法，其中所述第二结构包括所述第二牺 牲图案、所述第二蚀刻终止层和所述第一蚀刻终止层。

15.根据权利要求1的方法，其中蚀刻所述蚀刻目标层以形成目标 图案。

16.根据权利要求1的方法，其中所述蚀刻目标层为选自以下中的 一种：氧化物层、氮化物层、氧氮化物层、非晶层、多晶硅层，及其堆 叠结构。