[发明专利]集成电路形成方法

权利要求书

1、一种集成电路形成方法，其特征在于，用以形成一半导体结构，包含下列步骤：

提供一介电层，该介电层覆盖于一基板上；

形成一连通凹槽于该介电层；

对至少一部份该连通凹槽内的一曝露介电层侧壁进行一处理，以形成一处理后侧壁部份；

形成一间隙壁物质于该连通凹槽内的该曝露介电层侧壁上；

形成一导电物质于该连通凹槽内并邻接该间隙壁物质；以及

移除该处理后侧壁部份以形成一气隙于该间隙壁物质及该介电层之间。

2、根据权利要求1所述的集成电路形成方法，其特征在于，移除该处理后侧壁部份是以氢氟酸溶解。

3、根据权利要求2所述的集成电路形成方法，其特征在于，该氢氟酸包含于一溶液中，该半导体结构是浸于该溶液。

4、根据权利要求1所述的集成电路形成方法，其特征在于，在形成该导电物质后还包含一步骤：削去该半导体结构的一顶部表面，以曝露该处理后侧壁部份，以移除该处理后侧壁部份而形成该气隙。

5、根据权利要求1所述的集成电路形成方法，其特征在于，该至少一部份该连通凹槽内的一曝露介电层侧壁的处理步骤，是通过一灰化气体达成。

6、根据权利要求1所述的集成电路形成方法，其特征在于，该导电物质为铜。

7、一种集成电路形成方法，其特征在于，用以形成一多层半导体结构，包含下列步骤：

形成一蚀刻终止层于一硅基板上；

形成一介电层于该蚀刻终止层上；

形成一抗反射层于该介电层上；

形成一图案化光刻层于该抗反射层上；

通过一蚀刻气体形成一连通凹槽于该介电层以建立一电性连通道，该连通凹槽定义出该介电层的一曝露介电层侧壁，并曝露该蚀刻终止层，其中该连通凹槽并未穿透该蚀刻终止层；

以一灰化气体氧化至少一部份该连通凹槽内的一曝露介电层侧壁以形成一氧化部份；

沉积一侧壁保护层于该抗反射层以及该氧化曝露介电层侧壁之上，以包覆该氧化部份及该蚀刻终止层；

通过一异向性蚀刻气体移除该蚀刻终止层及该抗反射层上的该侧壁保护层，其中至少一部份的该侧壁保护层遗留下以形成一间隙壁；

形成一导电物质于该连通凹槽内并邻接该间隙壁；

移除该抗反射层以曝露该氧化部份至少一上部；以及

移除该氧化部份以形成一气隙于该间隙壁物质及该介电层之间，其中该间隙壁支撑该导电物质，且该间隙壁隔离该导电物质及该气隙。

8、根据权利要求7所述的集成电路形成方法，其特征在于，该氧化部份是以一具有氢氟酸的溶液溶解。

9、根据权利要求7所述的集成电路形成方法，其特征在于，该抗反射层的移除步，是由物质去除化学机械研磨法达成以曝露该氧化部份的该上部。

10、一种集成电路形成方法，其特征在于，用以形成具有多个气隙一多层半导体结构，包含下列步：

提供一多层半导体封装，该多层半导体封装包含一硅基板、位于该硅基板上的一蚀刻终止层、位于该蚀刻终止层的一介电层以及位于该介电层上的一保护层，其中该保护层可抵抗一灰化过程以保护该介电层；

形成一连通凹槽，该连通凹槽穿透该保护层以进入该介电层，该连通凹槽是接收一金属导电物质以形成一电性连通道，其中该连通凹槽中包含一曝露介电层侧壁，该连通凹槽并未穿透该蚀刻终止层；

氧化至少一部份该连通凹槽内的一曝露介电层侧壁以形成一氧化部份；

沉积一间隙壁物质于该连通凹槽中的曝露介电层侧壁之上；以及

溶解该氧化部份以形成一气隙于该间隙壁物质及该介电层之间，其中该间隙壁支撑该导电物质，且该间隙壁隔离该导电物质及该气隙。

11、根据权利要求10所述的集成电路形成方法，其特征在于，该间隙壁物质是由包含氮化硅、碳化硅及氮氧化硅的群组中选出。

12、根据权利要求10所述的集成电路形成方法，其特征在于，在沉积该导电物质后还包含一步：削去该半导体结构的一顶部表面，以移除至少部份导电物质及该保护层，以曝露该氧化部份。

13、根据权利要求10所述的集成电路形成方法，其特征在于，该氧化步

是通过施加一氧气等离子体灰化气体于该曝露介电层侧壁而达成。