[发明专利]电激发光元件有效

专利信息
申请号: 200810149529.4 申请日: 2005-09-30
公开(公告)号: CN101388437A 公开(公告)日: 2009-03-18
发明(设计)人: 西川龙司;齐藤伸郎 申请(专利权)人: 三洋电机株式会社
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50
代理公司: 北京戈程知识产权代理有限公司 代理人: 程 伟
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 激发 元件
【权利要求书】:

1.一种电激发光元件,在空穴注入电极及电子注入电极之间,具 备含有机化合物的发光元件层,其中,

所述发光元件层具备多层发光层,在该多层发光层中,在配置于 最接近空穴注入电极的第1发光层及该空穴注入电极之间,至少具备 空穴输送层;

在所述多层发光层中,在配置于最接近电子注入电极的第2发光 层及该电子注入电极之间,至少具备电子输送层;

所述第1发光层具备空穴输送功能;

所述第2发光层具备电子输送功能;

设从所述空穴注入电极所注入的空穴通过所述空穴输送层及所述 第1发光层而到达所述第2发光层为止的该空穴的所需时间为Th,及 从所述电子注入电极所注入的电子通过所述电子输送层及所述第2发 光层而到达所述第1发光层为止的该电子的所需时间为Te时,两者的 比值Th/Te满足下式的关系:

0.5<(Th/Te)<2.5。

2.一种电激发光元件,在空穴注入电极及电子注入电极之间具备 含有机化合物的发光元件层,其中,

所述发光元件层具备多层发光层,在该多层发光层中,在配置于 最接近空穴注入电极的第1发光层及该空穴注入电极之间,至少具备 空穴输送层;

在所述多层发光层中,在配置于最接近电子注入电极的第2发光 层及该电子注入电极之间,至少具备电子输送层;

所述第1发光层具备空穴输送功能;

所述第2发光层具备电子输送功能;

以从所述空穴注入电极所注入的空穴通过所述空穴输送层及所述 第1发光层而到达所述第2发光层为止的该空穴的所需时间为Th,及

从所述电子注入电极所注入的电子通过所述电子输送层及所述第 2发光层而到达所述第1发光层为止的该电子的所需时间为Te时,两 者的比值Th/Te满足下式的关系:

1≤(Th/Te)<2。

3.一种电激发光元件,在空穴注入电极及电子注入电极之间具备 含有机化合物的发光元件层,其中,

所述发光元件层具备多层发光层,在该多层发光层中,在配置于 最接近空穴注入电极的第1发光层及该空穴注入电极之间,至少具备 空穴注入层以及配置在所述空穴注入层上的空穴输送层;

在所述多层发光层中,在配置于最接近电子注入电极的第2发光 层及该电子注入电极之间,至少具备电子输送层;

所述第1发光层具备空穴输送功能;

所述第2发光层具备电子输送功能;

设所述空穴注入层的膜厚为Lhi、空穴迁移率为μhi,所述空穴输 送层的膜厚为Lht、空穴迁移率为μht,所述第1发光层的膜厚为Lem1、 空穴迁移率为μhem1,所述第2发光层的膜厚为Lem2、电子迁移率为 μhem2,所述电子输送层的膜厚为Let、电子迁移率为μet时,满足下 式的关系:

(Lhi/μhi)+(Lht/μht)+(Lem1/μhem1)=α{(Lem2/μhem2)+(Let/μet)};

其中,α满足0.5<α<2.5的关系。

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