[发明专利]集成电路结构

权利要求书

1.一种集成电路结构，其特征在于其包括：

一基底；

一金属化层，位于该基底之上，且该金属化层包括一介电层，以及位 于该介电层之中的一金属线；

一感应元件，位于该金属化层之上，用以感应光子；

一电极，直接位于该感应元件下方，并与该感应元件直接电性连结。

2.根据权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于其中所述的介电 层是一低介电系数介电层。

3.根据权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于其更包括：

一内层介电层；

多个内层金属介电层，位于该内层介电层之上，其中每一该些内层金 属介电层包括该介电层；以及

一第一钝化层，位于该些内层金属介电层上方，其中该感应元件至少 有一部分位于该第一钝化层之中。

4.根据权利要求3所述的集成电路结构，其特征在于其更包括：

一焊垫，至少有一部分位于该第一钝化层之中；

一第二钝化层，位于该焊垫之上，其中该焊垫通过该第二钝化层暴露 于外。

5.根据权利要求4所述的集成电路结构，其特征在于其中所述的感应 元件通过该第二钝化层暴露于外。

6.根据权利要求4所述的集成电路结构，其特征在于其中所述的感应 元件被该第二钝化层所覆盖。

7.根据权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于其更包括：

一内层介电层；

多个内层金属介电层，位于该层介电层之上，其中每一该些内层金属 介电层包括该介电层；以及

一钝化层，位于该些内层金属介电层上方，其中该感应元件位于该内 层介电层和该钝化层之间。

8.一种集成电路结构，其特征在于其包括：

一半导体基底；

多个金属化层，位于该半导体基底之上，且每一该些该金属化层包括 一低介电系数介电层，以及位于该低介电系数介电层之中的复数条金属线；

一第一钝化层，位于该些金属化层之上；

一感应元件，位于该第一钝化层之中，用以感应光子；以及

一电极，直接位于该感应元件下方，并与该感应元件直接电性连结。

9.根据权利要求8所述的集成电路结构，其特征在于其更包括：

一焊垫，位于该第一钝化层之中；以及

一第二钝化层，位于该第一钝化层、该焊垫以及该感应元件之上，其 中该第二钝化层包括一第一开口，并通过该第一开口将该焊垫暴露于外。

10.根据权利要求9所述的集成电路结构，其特征在于其中所述的第 一钝化层具有一介电系数，大于位于每一该些金属化层中的该低介电系数 介电层的介电系数。

11.根据权利要求9所述的集成电路结构，其特征在于其中所述的第 二钝化层包括一第二开口，并通过该第二开口将该感应元件暴露于外。

12.根据权利要求9所述的集成电路结构，其特征在于其中所述的感 应元件被该第二钝化层所覆盖。

13.根据权利要求9所述的集成电路结构，其特征在于其中该电极与 该焊垫位于同一平面，且两者系使用同一材质所制成。