[发明专利]晶片堆叠结构

权利要求书

1.一种晶片堆叠结构，其特征在于，该晶片堆叠结构包含：

一第一晶片，其具有一第一装置层与一第一基板，其中该第一装置层具 有至少一芯片及至少一低介电材料层；

一第二晶片，设置在该第一晶片之上，其具有一第二基板；以及

一封闭的支撑结构，其设置于该至少一芯片上且设置在该至少一芯片的 一切割道之内，其中该至少一芯片具有至少一连接点，该至少一连接点连接 至该晶片堆叠结构的表面，且该封闭的支撑结构包围该至少一连接点以形成 一封闭的气密结构，并从该第一装置层远离基板的一侧延伸至其靠近基板的 一侧。

2.如权利要求1所述的晶片堆叠结构，其特征在于，该第一装置层与该 第二基板相邻设置，以使该第一与第二晶片形成一背对面的堆叠结构。

3.如权利要求1所述的晶片堆叠结构，其特征在于，该第二晶片具有一 第二装置层与该第一装置层相邻设置，以使该第一与第二晶片形成一面对面 的堆叠结构。

4.如权利要求3所述的晶片堆叠结构，其特征在于，该第二装置层设置 有另一封闭的支撑结构，其与该第一装置层上封闭的支撑结构在铅直方向对 齐排列。

5.如权利要求3所述的晶片堆叠结构，其特征在于，该封闭的支撑结构 还贯穿该第一与第二基板其中之一，以将该第一与第二晶片间的热能传递到 该晶片堆叠结构的外侧。

6.如权利要求1所述的晶片堆叠结构，其特征在于，该封闭的支撑结构 先经过一刻蚀工艺后再填充一支撑材料而形成。

7.如权利要求6所述的晶片堆叠结构，其特征在于，该刻蚀工艺为一干 刻蚀工艺及一化学刻蚀工艺其中之一。

8.如权利要求1所述的晶片堆叠结构，其特征在于，该封闭的支撑结构 先经过一激光钻孔工艺后再填充一支撑材料而形成。

9.如权利要求1所述的晶片堆叠结构，其特征在于，该封闭的支撑结构 由一金属材料、一无机材料及一纳米材料其中之一所形成。

10.一种晶片堆叠结构，其特征在于，该晶片堆叠结构包含：

一第一晶片，其具有一第一基板与一第一装置层，其中该第一装置层具 有至少一芯片及一低介电材料层；

一第二晶片，设置在该第一晶片之上，该第二晶片具有一第二基板；以 及

一封闭的支撑结构，其设置于该至少一芯片上且设置于该芯片的一切割 道与该芯片的一连接点之间，其中该连接点连接至该晶片堆叠结构的表面， 该封闭的支撑结构包围该连接点以形成一封闭的气密结构，并从该装置层远 离基板的一侧延伸至其靠近基板的一侧。

11.如权利要求10所述的晶片堆叠结构，其特征在于，该第二晶片包含 一第二装置层与该第一装置层相邻排列，以使该第一与第二晶片形成一面对 面的堆叠结构。

12.如权利要求11所述的晶片堆叠结构，其特征在于，该第二装置层具 有另一封闭的支撑结构，其与该第一装置层的封闭的支撑结构在铅直方向对 齐排列。

13.如权利要求11所述的晶片堆叠结构，其特征在于，该第二装置层包 含静电放电保护电路、被动元件、驱动电路以及电源/接地遮罩电路其中之一。

14.如权利要求10所述的晶片堆叠结构，其特征在于，该第二晶片为一 不具有装置层的空白晶片。

15.如权利要求14所述的晶片堆叠结构，其特征在于，该第二晶片还包 含一接线层，该接线层通过一信号通道而与该装置层电连接。

16.如权利要求10所述的晶片堆叠结构，其特征在于，该封闭的支撑结 构贯穿该第一与第二基板其中之一，以将该第一与第二晶片间的热能传递到 该晶片堆叠结构的外侧。

17.如权利要求10所述的晶片堆叠结构，其特征在于，该封闭的支撑结 构先经一刻蚀工艺及一激光钻孔工艺其中之一后，再填充一支撑材料而形成。