[发明专利]电解电容的制造方法以及电解电容有效

专利信息
申请号: 200810149971.7 申请日: 2008-10-24
公开(公告)号: CN101425375A 公开(公告)日: 2009-05-06
发明(设计)人: 鹿熊健二;细木雅和;竹谷丰;山下纯一;奥田裕之;石原宏三 申请(专利权)人: 三洋电机株式会社;太阳电子工业株式会社
主分类号: H01G9/00 分类号: H01G9/00;H01G9/04;H01G9/14
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 李贵亮
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 电解电容 制造 方法 以及
【权利要求书】:

1.一种电解电容的制造方法,其特征在于,

制作具有阳极箔和阴极箔的电容元件,

通过在所述电容元件上浸渍将导电性固体的微粒或其凝集体分散在分 散溶剂中的分散液,在所述电容元件内形成具有导电性固体的微粒或其 凝集体的导电性固体层,

使不含有支持盐的溶剂浸渍形成有所述导电性固体层的电容元件。

2.根据权利要求1所述的电解电容的制造方法,其中所述导电性固体含有 选自聚噻吩及其衍生物中的至少一种。

3.根据权利要求1或2所述的电解电容的制造方法,其中所述溶剂含有选 自γ-丁内酯及环丁砜中的至少一种。

4.一种电解电容,其特征在于,具有具备阳极箔和阴极箔的电容元件,在 所述电容元件内填充有导电性固体层以及不含有支持盐的溶剂,所述导 电性固体层是通过在所述电容元件上浸渍含有导电性固体的微粒或其 凝集体的分散液而形成的。

5.根据权利要求4所述的电解电容,其中所述导电性固体含有选自聚噻吩 及其衍生物中的至少一种。

6.根据权利要求4或5所述的电解电容,其中所述溶剂含有选自γ-丁内 酯及环丁砜中的至少一种。

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