[发明专利]超润滑掺硅类金刚石薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 200810150286.6 | 申请日： | 2008-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN101619455A | 公开（公告）日： | 2010-01-06 |
| 发明（设计）人： | 陈建敏;赵飞;周惠娣;李红轩;吉利 | 申请（专利权）人： | 中国科学院兰州化学物理研究所 |
| 主分类号： | C23C28/00 | 分类号： | C23C28/00;C23C14/34;C23C16/26 |
| 代理公司： | 兰州中科华西专利代理有限公司 | 代理人： | 方晓佳 |
| 地址： | 730000甘肃*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 润滑 掺硅类 金刚石 薄膜 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种超润滑掺硅类金刚石薄膜的制备方法，其特征在于该方法包括以下步骤：
A、活化清洗表面：将在丙酮和乙醇中超声过的不锈钢片置于样品室后抽真空至1.0×10-3Pa～1.0×10-2Pa，通入氩气至1.5～3.0Pa；打开脉冲偏压电源，电压调至-400～-1200V，占空比为30～80％，用氩等离子体对不锈钢片表面进行活化清洗；
B、镀硅过渡层：清洗完毕后，将氩气气压调至0.25～1.0Pa，打开溅射电源，将溅射电流调至3.0～20.0A，同时脉冲偏压调至-200～-1000V，占空比为30～80％，沉积5～20分钟；
C、沉积掺硅类金刚石薄膜：通入氩气与甲烷的混合气体，使其总压强为0.5～4.0Pa；射频电源功率为400～1500W，溅射电流为2.0～15.0A，脉冲偏压为-200～-1200V，占空比为30％～80％，沉积120-160分钟。
2、如权利要求1所述的方法，其特征在于：在C步骤中，氩气与甲烷的质量流量比为3∶1～1∶4。
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