[发明专利]一种2～3GHz频段的负磁导率材料微带天线

权利要求书

1.一种2～3GHz频段的负磁导率材料微带天线，具体结构包括：介质基板、金属辐射贴片、金属接地板、SMA同轴接头，其主要特征是在普通微带天线的介质基板正反面刻蚀周期性排列的金属树枝状结构单元阵列，正反面的树枝状结构单元严格对齐。

2.如权利要求1所述的一种2～3GHz频段的负磁导率材料微带天线，其特征是用于微带天线的树枝状结构负磁导率材料的单元几何参数为：一级分支长度a＝5.5mm～8.3mm，二级分支长度和三级分支长度相等，即：b＝c＝2.8mm～4.2mm，相临各级分支间的夹角为θ₁＝θ₂＝θ₃＝30°～60°，W＝0.3mm～1.2mm，单元晶格常数d＝24.6mm～36.9mm，树枝结构单元的金属厚度t＝0.01mm～0.08mm。

3.如权利要求1所述的一种2～3GHz频段的负磁导率材料微带天线，其特征是在厚度为0.8mm～3mm的介质材料双面上刻蚀周期性排列的金属树枝状结构单元阵列，介质板为聚四氟乙烯，环氧玻璃布，聚乙烯材料，树枝结构单元所用的金属为铜、铜镀锡、铜镀银。

4.如权利要求1所述的一种2～3GHz频段的负磁导率材料微带天线，其特征在于制作过程包括以下几个步骤：

(1)采用电路板刻蚀技术，在介质基板两侧分别刻蚀出金属接地板和金属辐射贴片，并在微带天线的正、反面围绕金属辐射片、金属接地板的空白介质基板上刻蚀周期排列的树枝状结构单元阵列，且正反面的树枝状结构单元严格对正。

(2)选取馈电点，通过SMA接头连接金属地板和辐射片。