[发明专利]一种减阻表面的制造方法

权利要求书

1.一种减阻表面的制造方法，在基片表面上制造出交错排列的微米阵列，包括下列步骤：

1)制备压印模版，在模版上得到预先设计的微结构图案；

2)在基片表面上均匀涂铺一层液态高分子聚合物阻蚀胶，待其自由流平；

3)模版压入阻蚀胶层，通过曝光使阻蚀胶发生化学反应硬化成型；

4)释放压力并将模版脱离基片；

5)对基片进行反应离子刻蚀并除去残留的阻蚀胶，即可得到与模版等比例的图案；

6)对带有微结构图形的基片表面进行氟化处理，即得到减阻表面。

2.根据权利要求1所述的减阻表面的制造方法，其特征在于，所述在基片表面上制造出交错排列的微米阵列，各微柱或凹坑的长、宽为1～130μm，高度为10～150μm，微柱或凹坑之间的间距为2～260μm，表面为氟自组装单分子层。

3.根据权利要求2所述的减阻表面的制造方法，其特征在于，所述步骤3)通过紫外压印光刻技术进行图形转移，模版上的图形被复制到图形转移层。

4.根据权利要求3所述的减阻表面的制造方法，其特征在于，所述的模版是由能够让紫外线穿透的材料构成。

5.根据权利要求4所述的减阻表面的制造方法，其特征在于，所述能使紫外线穿透的材料为石英或者聚二甲基硅氧烷材料。

6.根据权利要求1所述的减阻表面的制造方法，其特征在于，所述步骤1)中用电子束制备模版前，模版表面镀有一层Cr，厚度为10-600nm。

7.根据权利要求1所述的减阻表面的制造方法，其特征在于，所述的基片材料是硅、二氧化硅、工程塑料或者金属材料。

8.根据权利要求7所述的减阻表面的制造方法，其特征在于，所述步骤2)中将液态高分子阻蚀胶涂铺在基片表面，待其自然流平，若要得到与模版具有相同结构的表面，则使用正胶；若要得到与模版具有互补结构的表面，则使用负胶。

9.根据权利要求1所述的减阻表面的制造方法，其特征在于，反应离子刻蚀以阻蚀胶为掩膜，将图形刻蚀至基片上，去胶后在基片上得到所需的微结构。

10.根据权利要求1-9任一项所述的减阻表面的制造方法，其特征在于，对带有微结构的基片表面进行氟化处理，获得低表面能氟自组装单分子层；氟化处理使用的氟化物为二甲基-γ-全氟辛酰氧丙基硅烷、全氟辛酰胺丙基硅烷、三氟丙基硅油、十三氟辛基三乙氧基硅烷、十三氟正辛基三氯硅烷中的任意一种或两种的组合。