[发明专利]一种烧绿石型Nd2Mo2O7缓冲层的制备方法有效
| 申请号： | 200810150741.2 | 申请日： | 2008-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN101337828A | 公开（公告）日： | 2009-01-07 |
| 发明（设计）人： | 卢亚锋;杨伟波;张国防;李成山;闫果 | 申请（专利权）人： | 西北有色金属研究院 |
| 主分类号： | C04B41/50 | 分类号： | C04B41/50 |
| 代理公司： | 西安创知专利事务所 | 代理人： | 李子安 |
| 地址： | 710016陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 烧绿石型 nd sub mo 缓冲 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种烧绿石型Nd2Mo2O7缓冲层的制备方法，其特征在于制备过程 为：
(1)将乙酰丙酮钕与乙酰丙酮钼固体按照摩尔比1∶1的比例混合；
(2)往步骤(1)的混合物中加入丙酸和甲醇混合溶液，丙酸和甲醇 的摩尔比为2∶3，然后加热搅拌1小时制成淡黄色的总阳离子浓度为 0.2-0.6摩尔/升的前驱液；
(3)用离心旋涂机将步骤(2)中的前驱液旋涂于已用丙酮超声清洗 过的YSZ单晶基片上，所述YSZ表示钇稳定的氧化锆；所述离心旋涂机 的转速为3000转/分钟，所述旋涂时间为30秒钟；
(4)将步骤(3)中旋涂好的YSZ单晶基片置于烘箱中，所述烘箱的 温度为60℃，在空气气氛中干燥48小时，然后将干燥后的YSZ单晶基片 置于管式炉中，在氩气气氛下以7℃/分钟的升温速率从室温开始加热，在 温度550℃条件下预分解1小时，然后在900-1150℃的温度下恒温1-3小 时，最后以不低于2℃/分钟的冷却速率将YSZ单晶基片冷却至室温，即 制成Nd2Mo2O7缓冲层。
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