[发明专利]在镁合金表面制备类金刚石复合涂层的方法无效
| 申请号： | 200810150859.5 | 申请日： | 2008-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN101665941A | 公开（公告）日： | 2010-03-10 |
| 发明（设计）人： | 王立平;薛群基;张广安;梁军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院兰州化学物理研究所 |
| 主分类号： | C23C28/00 | 分类号： | C23C28/00;C25D11/00;C23C14/35 |
| 代理公司： | 兰州中科华西专利代理有限公司 | 代理人： | 方晓佳 |
| 地址： | 730000甘肃*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 镁合金 表面 制备 金刚石 复合 涂层 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种在镁合金表面制备类金刚石复合涂层的方法，其特征在于该方法包括：
A、微弧氧化处理：
对镁合金进行抛光、除油以及清洗预处理，将镁合金作为阳极，不锈钢电解池兼作阴极；然后采用双极性脉冲微弧氧化电源设备对镁合金进行氧化处理生成一层多孔陶瓷质过渡层。微弧氧化处理所用的基础电解液中含有8～12g/L硅酸钠以及0.5～1.5g/L氢氧化钾；氧化过程中电流密度恒定在6.0A/dm2，温度保持在25-30℃。氧化时间20～60分钟，氧化完成后，即可在镁合金材料表面获得厚度为20～40μm的多孔氧化膜；
B、磁控溅射法沉积掺钛DLC薄膜：
将得到的陶瓷质氧化膜进行抛光以及清洗处理，最后在磁控溅射沉积设备中沉积掺钛类金刚石薄膜；沉积过程中，真空室的本底真空为5×10-4Pa，放电气压为1Pa，氩气气氛，阴极为高纯钛靶，甲烷气体作为碳源，镁合金样品上施加1000V的负偏压，沉积时间为150min，最后可得到厚度约为2μm的含钛DLC薄膜。
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