[发明专利]钕铁硼磁体表面真空复合镀膜的制备方法

权利要求书

1.一种钕铁硼磁体表面真空复合镀膜的制备方法，其特征是包括如下步骤：

A.预处理，在超声波清洗机中用清洗液和纯净水的混合液对磁体表面进行除油及脱膜剂清洗；

B.离子清洁活化，将预处理后的钕铁硼磁体经温度80℃-100℃，时间5-10分钟烘干在真空环境下经辉光等离子体进行轰击活化，增加表面活化能；

C.真空镀膜，将经离子清洗的钕铁硼磁体在真空室内进行真空镀膜处理，在表面制备金属镀层。

2.如权利要求1所述的钕铁硼磁体表面真空复合镀膜的制备方法，其特征在于所述的辉光等离子清洗的步骤为：预抽真空，当室体真空度为8×10^-4-3×10^-3Pa后，真空室体通过流量控制仪充入氩气，将室体压强维持在4-5Pa；在稳定的辉光放电的条件下清洗50-500S，关闭轰击电源。

3.如权利要求1或2所述的钕铁硼磁体表面真空复合镀膜的制备方法，其特征在于所述的辉光等离子体，在真空室体内的轰击极板或高压棒与室体之间加500-3000V电压，电流为0.5-3A，产生等离子流。

4.如权利要求1所述的钕铁硼磁体表面真空复合镀膜的制备方法，其特征在于所述的真空镀膜为电弧离子镀膜，具体步骤为：

预抽真空，当真空度到8×10^-3-2×10^-2Pa后，开始充入氩气或氮气，将气压维持在5×10^-2Pa-1Pa，开启电弧离子镀膜电源，电压为20-90V，电流为30-80A，镀膜时间为90s-480s，镀膜过程中，在钕铁硼磁体和室体之间加150-1000V电压，室体内温度为30-300℃。

5.如权利要求1所述的钕铁硼磁体表面真空复合镀膜的制备方法，其特征在于所述的真空镀膜为磁控溅射镀膜，具体步骤为：

预抽真空，当真空度到8×10^-3-2×10^-2Pa后，充入氩气或氮气，将气压维持在5×10^-2Pa-1.5Pa，开启磁控溅射镀膜电源，电压为200-800V，电流为20-180A，镀膜时间90s-480s，镀膜过程中，在钕铁硼磁体和室体之间加负偏压，150-1000V，室体的温度为30℃-300℃。

6.如权利要求4或5所述的钕铁硼磁体表面真空复合镀膜的制备方法，其特征在于还包括有电弧离子镀膜或磁控溅射镀膜的靶材为金属铬或金属铝。