[发明专利]四氧化三钴纳米管及多孔纳米晶的溶剂热合成方法

权利要求书

1.一种四氧化三钴纳米管及多孔纳米晶溶剂热合成方法，其特征在于包括如下步骤：

a.反应前体溶液制备：将二价钴盐溶于环己烷，控制钴离子浓度为0.01-1mol/L，加入氨水作为络合剂和沉淀剂，氨水与环己烷的体积比为1∶3，得到前体溶液；

b.溶剂热合成四氧化三钴纳米管及多孔纳米晶：将上述前体装于密闭的衬有聚四氟乙烯的反应釜中加热晶化，待晶化完毕后反应釜温度降至室温，将产物水洗至中性，然后在120℃真空干燥3小时得到四氧化三钴纳米管或多孔纳米晶。其中，晶化温度为220-260℃，晶化时间为24-72小时。

2.根据权利1要求的四氧化三钴纳米管及多孔纳米晶的溶剂热合成方法，其特征在于所述的钴盐为硝酸亚钴、氯化亚钴，乙酸亚钴，草酸亚钴和硫酸亚钴。

3.根据权利1要求的四氧化三钴纳米管及多孔纳米晶的溶剂热合成方法，其特征在于所述的溶剂为环己烷。

4.根据权利1要求的四氧化三钴纳米管及多孔纳米晶的溶剂热合成方法，其特征在于所述的氨水浓度为25-30％。

5.根据权利1要求的四氧化三钴纳米管及多孔纳米晶的溶剂热合成方法，其特征在于所述的晶化温度优先选自220℃，时间优先选自48小时。